高氧高碳硅单晶中的氧碳沉淀及其形成的二次缺陷

本文报道高氧高碳cz硅单晶中的氧碳沉淀及其相互作用的研究.确定了氧碳沉淀的主要形态为无定形SiO_2和颗粒状的SiC.得出了氧碳不发生沉淀的临界值及氧影响碳沉淀和碳影响氧沉淀的下限值.考查了形成二次缺陷的条件及其产生的缺陷类型.     

Si在SF6＋N2中反应离子刻蚀及其剖面的研究

本文报导了用ＳＦ＿６＋Ｎ＿２混合气体反应离子刻蚀Ｓｉ及其剖面的实验结果，研究了在刻蚀时，混合气体的成份和射频功率密度对Ｓｉ的蚀速影响以及Ｓｉ的负载效应，通过实验得到了一种获得Ｓｉ的腐蚀垂直剖面的方法，该腐蚀技术在制作微机械马达和周期为４６６．８ｎｍ的二级光栅（线宽０．２μｍ）中得到应用。     

用SF_6-N_2混合气的反应离子刻蚀制作WSi_x微米结构

本文报道了ESi_x在SF_6-Ar、SF_6-N_2混合气中的反应离子刻蚀(RIE)的实验结果。研究了在SF_6-N_2的混合气中刻蚀WSi_x时,气体成分、气体流量、工作气压和输入功率对刻蚀速率的影响。发现在SF_6/N_2中刻蚀WSi_x微米结构具有优越性。实验结果的重复性较好,并在高速场效应器件、光电集成器件(微米结构)制作中得到应用。     

硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源

本文分析了表面热诱导微缺陷与体缺陷的相互作用,确定了表面热诱导微缺陷的主要来源,提出了消除的方法及其在检测漩涡缺陷方面的应用.     

248 nm KrF准分子激光零级抑制石英相位掩模器的研制

实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期１．０８５μｍ的石英相位掩模器。实际测量表明其零级衍射效率被抑制到５．９７％。