单层圆片带引线元件的片式化实现

介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。     

21世纪电子元件的发展趋势

２１世纪电子元件的发展趋势主要是元件片式化、包装编带化、生产专业化和规模化、工艺精细化、生产环境“绿色化”,电子元件企业要创新管理,并在生产过程中符合社会保障的要求。鉴于市场日益国际化,电子元件的发展更应顺从知识经济规律。     

片式元件产业的发展前景

通过总结中国电子元件产业发展的经验教训，分析东莞宏明南方公司规模经济生产的经验，指出了“引进、消化、吸收、创新”必须与自主开发相结合搞规模经济生产的重要性，最后展望了中国片式元件产业的发展前景。     

陶瓷电容器丝网掩模漏印孔间隔设计

改进丝网掩模漏印孔间隔，提高陶瓷电容器容量偏差（等级品）合格率，用０．０２ｍｍ漏印孔尺寸间隔代替０．１ｍｍ，可大幅度提高等级品（Ｃ、Ｊ、Ｋ级）合格率，在相同设施的条件下，大大提高了生产能力，经济效益显著。     

日本电子元件工业考察报告(续)

<正> 二、几家电位器厂的比较 1.从品种上看,Alps、松下和帝国通信三家的品种比较齐全,特别是Alps和松下的品种甚多,而且产量都很大,制造技术也比较先进。φ4、φ6、φ8有机实芯电位器     

SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片。瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后 ,表面形成很薄的氧化介质层 ,中间是ｎ型半导体 ,电阻很小 ,起连接导通作用。瓷片两表面印制电极后 ,等效于一对串联电容器。由于氧化介质层很薄 ,且为高介电材料 ,所以能够获得很大的电容量。其结构示意图如图 1。半导体部分和氧化介质层部分虽然材料是一致的 ,但由于晶格结构缺陷 (氧缺位 ) ,而使半导体和氧化介质层ＳＥＭ二次电子成像中表现出明显不同的衬度 ,通过衬度对比 ,我们测出氧化介质层厚度 ,并且观察判断氧化程度及其一致性 ,它们与工艺、性能密切相关 ,给…     

台湾电子元件技术考察(续)

3　台湾菱庆股份有限公司台湾菱庆股份有限公司 MMC(以前为 KCK)及两个工厂(台中县加工出口区 )　由日本 MMC (KCK)在台投资。 1970年成立 ,注册资金 16 82 45 40 0元 (新台币 )。主要产品是圆片形瓷介电容器、半导体瓷介电容器 (包括表面型和晶界层型 )、多层陶瓷电容器、安全规格的交流瓷介电容器。生产能力为月产 1.5亿只陶瓷电容器。有两个工厂 ,一厂是前、中工序 ,制造瓷基体和被银电极瓷片 ;二厂是后工序 ,电容器的装配。员工有 34 7名 :一厂 16 1人 ,二厂 174人 ,其余 12人是台北分公司业务人员 ,日本专家驻台湾工作人员有 7人…     

表面层型半导体陶瓷电容器

对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。     

表面层型半导体陶瓷电容器

1　引言半导体陶瓷电容器 (以下简称半导Ｃ)特大的比体积电容量 (ＭＦ/ｃｍ3 )是传统陶瓷电容器所不可比拟的 ,这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力 特别是在尚未ｌ0 0 %或不需 10 0 %采用ＳＭＴ组装技术的电子产品中 ,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导Ｃ ,无疑是最佳选择 目前市场需求热点是Ｙ5Ｖ、Ｙ5Ｕ、Ｙ5Ｐ三种温度特性组别的Ｂａ ＴｉＯ3 基表面层型半导Ｃ和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率 (达几ＧＨｚ)的ＳｒＴｉＯ3 基晶界层型半…