排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用共焦Z扫描系统,以λ=532nm.脉冲宽度0.7ns.重复频率15.79kHz的脉冲半导体激光器作为入射光源,研究了AgOx超分辨近场结构(SuperRENS)薄膜样品的非线性光学性质.实验获得了其三阶非线性折射率系数随入射光功率的变化曲线.并与Au,Ag薄膜作了比较.讨论了光致非线性变化过程。结果表明,在聚焦激光作用下.AgOx超分辨近场结构薄膜样品存在一相变点.即解析出纳米Ag颗粒,满足了产生局域表面等离子体的激发和增强效应的条件。 相似文献
2.
3.
4.
根据高等学校的根本任务即培养高素质的创新性人才的要求,介绍我们在教学与科研相结合,努力提高学生的创新能力、本科生提前进实验室与大学生研究计划和毕业论文相结合、加强教学实验平台建设,为大学生提供创新活动基地、加强光学与光电子教学课程体系和教材建设等方面的教学改革工作.注重培养具有物理背景,对新材料、新器件和集成光电子学的开发和研究具有很强的适应性和创新能力的光电子专业复合型人才. 相似文献
5.
6.
7.
我们对偶氮聚合物液晶进行超高密度存储机理研究。采用矾酸钇晶体倍频激光器输出的5 32 nm波长绿色激光照射偶氮聚合物液晶薄膜 ,发现了偶氮聚合物液晶薄膜样品在 2 6 5 nm吸收峰处的双光子激发光致取向现象。实验采用侧链型偶氮聚合物液晶材料 ,其 THF溶液在玻璃基片上干燥后形成厚度为 5 0μm左右的各向同性固态薄膜样品。使用的激光平均功率为 30 m W,通过偏振片照射于液晶薄膜样品表面。探测光源为 He- Ne激光器 ,波长为 6 32 .8nm,功率为 2 m W。在探测光路中 ,薄膜样品处于一对正交偏振片之间。固态薄膜样品在波长 5 32 nm处为弱背… 相似文献
8.
9.
10.
在过去十年里,激光强度增长了四个量级以上达到1020W/cm2,场强达到每厘米一个TV,为氢原子基态电子库仑场的100倍。其驱动的电子是相对论性的,振动能量为10MeV。如此光强下,光压P=I/c达到极限,为(1014~1017)Pa。激光和物质(固体,气体,等离子体)相互作用产生入射光束的波长为3nm左右的二次谐波,MeV的高能离子和电子,109G的电磁场和1021g的巨大加速度(g是地球引力).最后,超强光束与超相对论性粒子的相互作用产生场强接近临界场,在其中一个电子在康普顿波长处可获得能量两倍于静止能量.在这些条件下我们能观察到非… 相似文献