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ＳＤＨ光接收模块具有高速高增益的特点，电路板设计的好坏是模块的性能指标能滞实现的关键环节之一。为此，本文结合光接收模块的制作，从多个方面对高速板设计技术进行了详细的分析。并在充分运用高速板设计方法的基础上研制出高灵敏度小型化ＳＤＨ光接收模块。 相似文献
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分析了阱宽、垒高和应变对量子阱材料TE模和TM模折射率的影响,并剖析了其中的物理机理.研究表明:对于量子限制效应带来的量子阱折射率偏振相关性,阱宽越小或垒高越高,折射率偏振相关性越大.压应变增大时,折射率偏振相关性增大,张应变可以克服量子限制效应带来的折射率偏振影响.对于不同阱宽和垒高的量子阱,均存在合适的张应变量使折射率偏振相关性最小,且阱宽越小或垒高越高所需的张应变量越大.根据以上分析,提出量子阱材料折射率低偏振相关设计方法,并据此设计出C波段(1 530～1 565 nm)内折射率低偏振相关(小于0.03)的量子阱材料In0.49Ga0.51As/In0.77Ga0.23As0.5P0.5.研究结果有助于优化设计光网络中关键器件. 相似文献
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为了研究集成双波导半导体光放大器(ITG-SOA)小信号放大纵向特性,运用ITG-SOA静态分析模型进行了分析。结果表明,小信号放大时,ITG-SOA有源和无源波导间能够实现周期性光功率转移和完全的功率交换;与半导体光放大器中载流子浓度沿纵向单调下降明显不同,ITG-SOA有源波导中的载流子浓度沿纵向周期性摆动,且摆动幅度沿纵向逐渐加大;有源波导归一化层厚度、有效折射率和纵向传播常数等特性参量亦呈现出特有的纵向分布。这一结果对于深刻理解ITG-SOA小信号放大时的工作机理是有帮助的。 相似文献
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分析了多量子阱材料各参数对其TE模和TM模有效折射率的影响。结果表明:阱数增多,多量子阱有效折射率降低,当量子阱数目大于3时,其有效折射率的变化不明显。垒厚增加,有效折射率略有降低。存在合适的张应变量使TE模和TM模有效折射率峰值波长接近的同时,折射率差值整体最小,偏振相关性最小。据此提出多量子阱材料有效折射率低偏振相关设计方法,并设计出C波段内(1530~1565 nm)折射率低偏振相关的InGaAs/InGaAsP多量子阱材料。研究结果有助于设计实用化的有效折射率低偏振相关量子阱材料。 相似文献
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对比分析了InGaAs/InGaAsP柱状量子点材料TE模和TM模增益谱及其折射率变化谱随点区材料组分、垒区材料组分和量子点高宽比的变化特性,并剖析了其中的物理机理。进一步联合考虑点区和垒区组分变化对兼顾增益与折射率变化以及偏振相关性的影响,提出了一种多参数调配方法,并据此设计出在1550nm通信波段(1540~1560nm)内兼顾增益与折射率变化的低偏振量子点材料In0.97Ga0.03As/In0.76Ga0.24As0.52P0.48。最后通过分析,选定合适的工作载流子浓度。当载流子浓度为0.6×1024 m-3时,TE模和TM模的3dB谱宽交叠区面积分别为8.66×103和7.55×103nm/cm,增益和折射率变化的偏振相关性分别在3%和10%以内。研究结果有助于未来全光网络中关键器件的优化设计。 相似文献
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