排序方式: 共有51条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了三种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具,在3~8GHz范围内进行了小信号测试.模拟和测试结果表明,采用阶梯阻抗滤波器偏置网络的测试电路性能较好,比采用扇形线偏置网络的测试电路具有更宽的带宽.该滤波器偏置电路能够用来在整个C波段,即在4~8GHz内对微波功率器件进行测试.但是,微带叉指耦合电容没有起到取代贴片隔直电容的目的,原因是该结构对参数精度要求高,而PCB制作工艺无法满足这个要求. 相似文献
4.
5.
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型.利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻.对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法.最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷(SPDT)开关电路中检验模型的正确性.结果表明,误差因子E11 =E22<2.96%,E12 =E21 <1.27%,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合.所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导. 相似文献
6.
7.
阐述企业创精品工程的意义和<工程创优保证体系>的建立和实施中的方法及注意事项,提出创精品工程、树立品牌形象是建筑装饰企业存续和发展的重要支撑. 相似文献
8.
采用MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.实验结果表明,在加入δAl/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.通过MOCVD生长方法,利用光学显微镜、XRD和Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小、晶体质量高的GaN材料. 相似文献
9.
研究硫化模拟分析技术在弹性车轮弹性体元件硫化工艺设计中的应用。首先采用经验公式计算出弹性车轮弹性体元件硫化时间,在此基础上运用硫化模拟分析技术,通过模型构建、网格划分及过程参数设置,对弹性车轮弹性元件硫化工艺进一步进行模拟分析,将硫化时间缩短16. 7%。弹性车轮弹性体元件溶胀指数、关键尺寸(厚度)和垂向刚度测试结果表明,与经验公式计算结果相比,弹性车轮弹性元件硫化模拟分析结果与实际生产情况更相符,硫化温度和硫化程度预测更准确,所得产品尺寸和性能更佳。实际生产中,该技术应用于橡胶制品硫化工艺设计可以减少试模次数和研发成本,提高产品质量。 相似文献
10.
用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性. 相似文献