100 V N沟道VDMOS寄生电容研究

从结构上对一种N沟道VDMOS器件的寄生电容进行研究,确定了栅氧化层厚度和多晶线宽是影响VDMOS器件寄生电容的主要因素;使用TCAD工具,对栅氧化层厚度和多晶线宽的变化对各个寄生电容的影响进行半定量分析,得到栅氧化层厚度每变化1 nm,关断时间变化4.9 ns和多晶线宽每变化0.2 μm,关断时间变化2.7 ns的结论,与实际测试结果吻合较好.将该结论用于100 V/N沟道VDMOS器件关断时间的精确控制,关断时间控制精度达到±10 ns,满足VDMOS芯片制造要求.     

适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术

采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片，并将其应用于VDMOSFET器件的研制。实验结果表明，采用SDB硅片制造出的器件，其电学特性优于采用外延片制作出的器件。     

一种新型CMOS T/R组件多功能控制器

研制了一种正向设计的全定制CMOST／R组件多功能控制器，简要介绍了其基本工作原理、线路设计和可靠性设计。该产品具有功耗低(≤5mW)，开关速度快(输出上升时间≤30ns)，工作频率高(fMAX=5MHz)，输出高低电平电压幅度大(VOL≤-4．9V，VOH≥-0．1V)，24路输出一致性好等优点，可广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。