注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

虚拟运营商的发展模式讨论

从虚拟运营商产生的背景出发,分析全球成功虚拟运营商所具备的基本要素,结合国内虚拟运营商的生存困境,深入剖析虚拟运营商与基础运营商的特征差异,给出国内虚拟运营商出现困境的根本原因。继而对虚拟运营商进行分类梳理,从病症上找原因,相应给出符合其发展规律的合理化建议和意见,以供国内虚拟运营商的健康发展提供参考。     

城市地下空间开发利用现状及未来发展理念

城市快速发展出现诸如环境污染、资源短缺、交通拥堵、房价高等“大城市病”问题,破解“大城市病”的最佳选择在于开展城市地下空间开发利用。归纳我国大城市建设存在的“大城市病”特征,提出了城市地下空间开发利用对于城市可持续发展的现实意义,对国内外城市地下空间开发现状进行了综述,明确了当前城市地下空间开发利用存在的核心问题及发展方向;基于国内外现状分析,明确进行了我国未来地下城市空间开发利用的发展原则;提出未来地下城市规划布局发展的若干理念,从法制构建角度倡导树立第四国土、地下红线理念;从规划、设计、建造角度推崇融合设计、规划留白、智慧建造等理念;从空间角度提议采用节点TOD空间布局理念;从可持续发展角度坚持以人为本理念。本研究综述及发展理念旨在为未来大城市立体空间联动利用提供模式借鉴。     

TD-SCDMA的业务网部署

首先着重论述了TD—SCDMA数据业务网的部署原则以及数据业务管理平台与省级业务操作平台的组网方式。其中。数据业务管理平台与省级业务操作平台之间的组网方式主要有三种：一是业务引擎分省部署方式;二是业务引擎分大区部署方式;三是业务引擎集中部署方式。最后简要介绍了TD—SCDMA智能网的部署方式。     

TD-SCDMA广覆盖思路探讨

TD-SCDMA独立组网是关乎我国自主产权移动通信标准商用的重大事情,而广覆盖则是TD-SCDMA系统发展过程中必须考虑的一个重要环节.文章从TD-SCDMA实现广覆盖的技术能力、广覆盖规划以及广覆盖优化3个角度阐述了TD-SCDMA广覆盖的一些思路,为今后TD-SCDMA运营商在网络建设方面提供了很好的指导.     

6层框架结构楼房第2次爆破拆除施工

叙述了6层框架楼房爆破拆除未倒的概况并分析了其原因。在此基础上，提出了再处理爆破方案和爆破参数设计，并付诸实施，最终顺利拆除了末倒的楼房，取得了成功的经验。     

Cusp磁场中CZ硅氧浓度分布的数值模拟

利用FEAMG-CZ软件,模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明:随着0高斯面的下移,熔体中的最小氧浓度降低,而固液界面的氧浓度升高,且径向均匀性变差。分析表明,这与熔体自由表面处的Marangoni流有关,抑制该流动有利于熔体中氧的蒸发,从而在自由表面下获得更低氧浓度的熔体,但会阻碍自由表面下方低氧熔体往固液界面的输运。因此,推断当0高斯面位于熔体自由表面下某一位置时,固液界面氧浓度将达到最低。模拟中,该位置位于Hm=0～-0.01m之间。     

TD-SCDMA基站能力分析

在给定话务模型以及合理假设的情况下，给出不同业务占用信道资源的情况，以及TD-SCDMA基站单载波情况下所能提供的话务量及数据吞吐量。     

300 mm双面磨削硅片表面纹路模拟

分析了硅片双面磨削的运动轨迹,并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹。还对砂轮运动轨迹进行了模拟。得出以下结论：砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关,而与两者的分别转动角速度值没有关系。硅片磨削的磨纹密度沿着硅片径向逐渐减小,硅片中心处磨纹最密集,磨纹密度最大,表面粗糙度最小,越靠近硅片的中心硅片的磨纹密度越大,表面粗糙度越小,表面质量越好;反之,越靠近硅片的边缘磨纹密度越小,表面粗糙度越大,表面质量越差。砂轮和硅片旋转方向相同时单颗磨粒的轨迹带有紫荆花形状,说明其磨削是不均匀的,磨削效果不好;而砂轮和硅片旋转方向相反时单颗磨粒的轨迹则不具有这种形状,磨削很均匀,磨削效果好。硅片磨纹密度是由砂轮和硅片的速比决定的,速比ωwωs的不可约分数m/n中n越大,硅片磨纹密度越密,表面粗糙度越小,磨削表面质量越好。