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理论上研究了吸收层材料的光学常数,该常数满足从紫外线到近红外波长范围的四层结构的光子-热转换的高效率。通过使用有效介质近似(EMA)模型,复合材料(金属陶瓷)的光学性能与模拟材料的光学性能非常吻合。此外,提出了使用Ti-MgF2金属陶瓷作为吸收层的具有高光子-热转换效率的四层膜结构,其在300~1 600 nm的波长范围内具有约95.1%的高吸收率。研究结果为实现高效率的光热转换器件提供了新途径,显示了优良的应用前景。 相似文献
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采用磁控溅射方法在硅衬底上生长了五个不同组分的银铟合金薄膜.采用椭圆偏振光谱仪研究银铟合金薄膜的光学性质.银基金属薄膜一般在3.9 eV附近出现典型的带间跃迁.随着铟含量的增加,银铟合金薄膜的介电函数呈现出明显增加的趋势,典型带间跃迁能量也出现蓝移.结果表明,银铟合金薄膜的光学性质可以通过其中铟元素的含量进行调控.Ag0.93In0.07薄膜比其他四种组分的银铟合金薄膜有着更大的品质因子(Q因子),而且在一些波段甚至比纯金属金和铜的Q因子都要大,这表明银铟合金材料具有成为新型等离子体材料的潜力 相似文献
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结合多靶磁控溅射镀膜方法和自制的一维位移挡板样品台制备了基于TiO2和SiO2的可见光谱区线性渐变滤光片(LVOF)。使用商用分光光度计和一维手动平移样品台对样品进行光谱表征。重点研究了退火温度和时间对LVOF透射光谱的影响。结果表明,LVOF样品的可工作光谱范围为510~700 nm,且样品上不同位置的透射光谱峰值与样品位置呈现出良好的线性关系。在300°C下进行1 h真空退火处理后,样品的透射率得到了显著提升,优于60%。这表明退火处理可显著提升LVOF的性能。 相似文献
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对Sb2Te3薄膜的结构、线性光学及非线性吸收性质的Ti掺杂影响进行了系统性探究。利用磁控溅射和高温退火手段制备了不同Ti掺杂浓度的晶态Sb2Te3薄膜。X射线光电子能谱分析显示Sb2Te3薄膜中的Ti元素以Ti4+化学态以TiTe2的形式存在。线性光学性质结果表明,在保持非线性器件中宽工作波长特性的同时,Ti掺杂可以提高Sb2Te3薄膜的透射率,并降低光学带隙从1.32 eV至1.25 eV,根据Burstein-Moss理论,这取决于载流子的减少。利用自主搭建的开孔Z扫描系统,测试了薄膜样品在132 GW/cm2强度下800 nm飞秒激光激发的非线性吸收性质,结果显示的Ti掺杂引起的饱和吸收可调谐行为可归因于光学带隙减小与晶化抑制的竞争效应。此外,Ti掺杂将Sb2Te3薄膜的激光损伤阈值从188.6 GW/cm2提高到了265.5 GW/cm2。总而言之,Ti掺杂Sb2Te3薄膜在非线性光学器件领域具有广泛的应用前景。 相似文献
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基于GG-IAG光纤理论模型,设计了掺Nd3+ 磷酸盐GG-IAG光纤玻璃材料配方;采用管棒法制备了GG-IAG光纤 预制棒,在530℃下拉制了不同直径(200μ m-500μm)的掺Nd磷酸盐GG-IAG大模场光纤;测试了光纤的光谱 参 数与增益性能,然而,由于光纤存在模式泄漏损耗,导致其增益性能不高。为了提高GG-IA G光纤的增益性能,采 取磁控溅射方法,分别在芯径为130μm、160μm和200μm的GG-IAG光纤包层表面蒸镀200 nm的Ag膜作为全反射膜, 使得泵浦光被束缚在光纤中,从而提高了光纤的泵浦效率。实验结果表明,在光纤参数相同 的情况下,镀Ag膜后光 纤的放大效率分别为50%、41.88%、24.33%;而未镀Ag膜光纤的放大效率分别为26.87%、22.8%、 15.87%。说明光 纤表面镀膜能够显著改善GG-IAG光纤的增益性能,研究结果对GG-IAG光纤的应用具有指导 意义。 相似文献
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理论优化并成功制备了一种以W-SiO2双金属陶瓷作为吸收层的太阳能选择性吸收薄膜,同时提高了薄膜在太阳辐射波段的吸收并降低了在红外波段的热辐射。研究了包括金属反射层材料、吸收层金属体积分数等因素对薄膜整体吸收效率的影响。基于对Si和K9玻璃基底上生长的不同金属体积分数的W-SiO2陶瓷薄膜光学常数的研究,利用磁控溅射方法制备出如下膜系:W (~150 nm) / W-SiO2 (94 nm, 0.67HVF) / W-SiO2 (34 nm, 0.27LVF) / SiO2 (47 nm)。膜系实际测量结果与仿真结果完全吻合,在250~1 500 nm宽光谱波段实现了高达95.3%的吸收率,并且在600 K温度下达到0.124的低热辐射率。该四层膜系结构简单,易于制备,有很强的实际应用前景。 相似文献
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