不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性

研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示 ,虽然对单管特性而言 ,干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力 ,但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性 ,因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明 ,适当的界面态的引入 ,有利于增加负载电流镜的饱和工作范围 ,从而降低电路的辐射敏感性。     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下 ,N沟和 P沟输入两种不同结构 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况 .结果表明 :由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致 P沟输入运放电特性衰降的主要机制 ;而由氧化物电荷和界面态引起的 N沟差分对的漏电增大则是造成 N沟输入运放电路性能变差的主要原因     

栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响

介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因,是因为H的引入产生了更多的界面态,从而使其单管的跨导明显下降所致.这表明,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长,对提高电路的抗辐射特性至关重要.     

CMOS运算放大器的辐照和退火行为

介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.     

注F CC4007电路的电离辐射效应

本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故．     

电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 ,但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因     

CMOS运算放大器电路的辐照损伤分析

通过分析P沟差分对输入CMOS运放电路内部单管特性，各节点电流，电压及运放整体电路在电离辐射环境中损伤特性的变化，探讨了引起运放电特性退化的主要原因，结果显示，由于差分对PMOSFET输出特性Ids-Vds的不对称，在辐照中引起的镜像恒流源的不匹配，是导致运放电参数发生剧变的根本原因，对CMOS运放电路来说，电路结构的匹配及MOSFET单管I－V持性的优劣，是决定运放抗辐射能力的关键。     

辐射加固54HC系列集成电路的研制

在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上，开发了一套适用于研制辐射加固５４ＨＣ系列和辐射加固大规模集成电路的ＣＭＯＳ工艺技术。辐射实验结果表明，该技术可比非加固电路的抗总剂量辐射能力提高两个数量级。