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对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。 相似文献
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采用高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)与球差校正电镜高角环形暗场(HAADF)像研究了层状钙钛矿La_(0.9)Sr_(0.1)TiO_(3+δ)(LST)的显微结构,揭示了该材料体系中存在的氧空位缺陷对晶格结构的作用机制.结果表明:材料晶格结构受缺氧环境的影响会引起LST晶胞a,b轴长度的缩短与c轴的相对伸长,在整体上表现为晶胞的体积收缩.基于高分辨显微像与Z衬度原子像的分析,能够识别由氧空位引发的部分原子面重排以及由连续晶格畸变所导致的位错现象.氧空位缺陷的有效调控将对优化材料微观结构,进一步制备高反射率钙钛矿材料具有重要意义. 相似文献
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本文首先剖析了国外钽电容器及钽粉的发展状况,指出,随着电子工业的飞速发展,片状钽电容器、钽粉工业也得到了长足的进步,从发展观点看,钽产品的市场前景可观;其次,本文总结分析了我国钽工业技术产品发展现状及同国外的差距;最后,论述了促使我国钽工业技术进步,应重视的实际问题和该行业的任务 相似文献
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建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。 相似文献
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采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V·s). 相似文献
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