P&H4100XPC电铲电气控制及调试技术

介绍了PH4100XPC电铲电气系统的组成部分、工作原理与性能特点,详细分析了该型号电铲的供电系统、分布式控制系统、电机驱动控制系统、无功功率补偿(RPC)系统的调试方法及步骤。通过实践证明,电铲电气控制系统经过全面细致的调试后,电气系统的故障率得到明显下降,可靠性得到提高,方便了日后的维修和维护工作。     

凝结时空精华,铸就序构材料,力促大尺寸功能晶体新发展

<正>中国科学技术协会发布的2021年重大科学问题、工程技术难题和产业技术问题,将“如何突破大尺寸晶体材料的制备理论和技术”列为首要问题,位居十个对科学发展具有导向作用的前沿科学问题之首。这不仅对于进一步激发功能晶体材料领域研究人员的好奇心和自由探索热情,引领科技创新趋势和科研攻关方向,服务国家科技创新发展具有重要意义,而且将引导功能晶体材料领域广大科技工作者围绕问题开展原创性、引领性的科技攻关,     

激光二极管抽运的Yb:GSO飞秒激光器

作为1μm附近由激光二极管直接抽运的高效、紧凑固体激光器的增益介质，掺Yb^3＋离子的激光材料越来越受到人们的关注。掺Yb的晶体具有能级结构简单，荧光寿命长，量子缺陷低等优点。掺Yb离子的激光晶体作为增益介质的飞秒激光振荡器国际上已有报道，实现全固态飞秒激光器件的实用化是国内外科学家追求的目标。     

CaF2晶体(111)晶面腐蚀坑的动态演变行为与运动学特性

CaF₂晶体在光刻机中应用成为国内外研究的热点,而晶体中存在各种缺陷严重制约其实际性能。本文跟踪观察了CaF₂晶体(111)晶面形成的腐蚀坑的形貌特征和空间延伸特性,并分析了各种腐蚀坑所对应的缺陷特性,是实现对晶体缺陷精确表征与控制的前提。研究表明：CaF₂晶体(111)晶面的腐蚀坑具有三角锥形坑、锥形–平底坑、平底坑3种类型。三角锥形坑与锥形–平底坑具有定向移动特性,这表明这类腐蚀坑所对应的缺陷与材料的位错相关,其中：三角锥形坑的坑尖又有3种不同的精细结构,因此所对应的位错至少有3种晶体学走向;而平底坑没有观测到具有空间延伸特性,是缺陷被完全腐蚀后留下的尸体残余,其所对应的缺陷可能是杂质、空位、小的位错环等。通过实时追踪腐蚀坑的演化过程,获得腐蚀坑形成过程的物理参数,建立蚀坑的运动学模型,这也为进一步研究晶体材料的腐蚀理论提供基础。     

α-Al2O3:C晶体热致发光和光致受激发光特性的数值模拟

通过α-Al2O2:C晶体的热致发光(thermoluminescence,TL)简单模型建立的速率方程,采用Mathematica 5.2软件用数值模拟的方法对α-Al2O2:C晶体的TL和光致受激发光(optically stimulated luminescence,OSL)特性进行了探讨.结果表明:随着辐照剂量的增加,α-Al2O2:C晶体TL峰向低温方向移动,OSL衰减速率逐渐加快;α-Al2O2:C晶体的TL和OSL剂量响应曲线呈线性-亚线性-饱和的特点,在低剂量范围内显示出良好的线性关系;OSL灵敏度明显优于TL灵敏度,具有更宽的线性剂量响应范围.数值模拟的计算结果和实验结果基本相符.     

高功率激光二极管抽运的镱钠共掺氟化钙连续激光器

掺镱氟化钙(Yb3+:CaF2)激光器是最近国际上研究的热点之一,2008年报道的该类激光器,在64 W激光二极管(LD)的抽运下,实现了平均输出功率10.2 W的连续激光输出.利用国产镱钠共掺的氟化钙(Yb,Na:CaF2)激光晶体,采用三镜折叠腔型和激光二极管抽运,获得了该类激光器(Yb,Na:CaF2/Yb:CaF2)的高功率连续输出.实验参数为:输出耦合镜的透过率为4%,激光二极管的最大输出功率为40 W,中心波长为976 nm.当吸收抽运功率18.2 W时,获得了14.5 W的最高功率连续激光输出,相应的斜率效率为80%.结果表明,国产Yb,Na:CaF2晶体具有低激光阈值和高负载能力,是一种优良的高功率激光材料.     

激光二极管抽运Yb:LSO自锁模激光器

利用激光二极管抽运掺镱石丰酸镥(Yb:Lu2SiO5,Yb:LSO)晶体,在腔内不加任何主被动调制器、且腔内未插入硬光阑的情况下,实现了激光器的克尔透镜自锁模运转.采用4镜Z形折叠腔,在抽运功率为15.8 W时,得到平均功率达2.05 W的克尔透镜自锁模稳定脉冲输出,相应的斜率效率为16.5%.     

氟化物磁光晶体的研究进展与应用

光通信技术发展迅速,激光平均功率不断提高,磁光隔离器是保证激光单向传输、维持光学系统稳定高效工作的基础,而磁光介质作为磁光隔离器的核心部件也因此得以快速发展。首先简要介绍了几种磁光材料以及当前广泛应用的石榴石磁光晶体的缺点、法拉第效应的原理和应用,随后系统分析了作为新一代磁光晶体的各类氟化物磁光晶体的优缺点,最后展望了CeF₃磁光晶体潜在的应用前景以及未来氟化物磁光晶体的发展趋势。     

Bi和Nd共掺CsI晶体近红外宽带发光性能

采用坩埚下降法生长了Bi和Nd共掺的CsI晶体.X射线衍射分析表明,Bi和Nd共掺并不影响晶体结构,其空间群为Pm3m.通过测试晶体的实际掺杂浓度发现,共掺导致了Bi掺杂浓度的降低.对晶体进行退火处理,并测试了晶体的吸收光谱和发射光谱.结果表明:Bi和Nd共掺能够提高晶体中带电子色心V'Cs的浓度,经高温退火后能获得较多的低价态的Bi离子发光团簇,从而提高了晶体的近红外宽带发光性能.晶体的Raman 光谱显示,掺Bi的CsI晶体近红外宽带发光中心的2个特征Raman峰分别位于164和176 cm-1处.此外,还提出CsI晶体中发光中心Bi+和低价态团簇Bi2+的形成离不开高价态Bi离子的靠拢团聚作用.     

激光加热基座法生长高质量Yb3+掺杂Y3Al5O12单晶光纤

单晶光纤即具有光纤形态的单晶材料,是功能晶体材料一维化发展的重要体现.单晶光纤兼具单晶材料优异的光学性能和激光光纤散热效率高、光束质量高等特点,有望解决传统玻璃材质激光光纤非线性效应强、热导率低等瓶颈问题,实现激光峰值功率、脉冲能量等性能的突破.本工作采用自主研制的激光加热基座(Laser-heated Pedesta...