功率晶体管稳态工作寿命试验条件研究

介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结晶ＴＪＭ,最大额定功率Ｐｔｏｔｍａｘ和与Ｐｔｏｔｍａｘ相应的壳温Ｔｃ作为试验条件的观点。     

基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证

对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过pn结的电流,小电流比大电流更具有趋热性.即电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着电流的减小而缩小.利用这一特性可以研究器件热电不稳定性,结温分布的不均匀性及不均匀度,峰值结温的估算等,这对于半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

一种全新的基于小电流过趋热效应的峰值结温电学测试方法

It has been a scientific and technological problem in the field of microelectronics for several decades that the electrical method is used to measure the peak junction temperature of power transistors. Based on the excessive thermotaxis effect of low current, a novel electrical measurement method of the peak junction temperature is presented in this paper. The method is called the thermal spectrum analysis method of transistors, simply designated TSA （thermal spectrum analysis method）. Unlike the common method which uses a single measuring current, TSA uses multi-step currents to measure temperature-sensitive parameters. Based on the excessive thermotaxis effect of low current and the sub-transistor parallel model, the peak junction temperature and non-uniform property of junction temperature distribution are analyzed successfully.     

微波功率晶体管的金属气密封装

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征.     

不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性

以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.     

选极F型封装功率晶体管及其功能特征

本文在对现行功率晶体管封装方式进行技术分析,分别指出不同封装方式之优缺点的基础上,提出了改善功率晶体管封装性能的技术措施—选极Ｆ型封装技术,并介绍了利用这种技术措施研制的选极Ｆ型封装功率晶体管的功能特征等技术内容。     

基于实际结温分布中小电流过趋热效应的验证

对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真实性.当结温分布不均匀时,对于通过pn结的电流,小电流比大电流更具有趋热性.即电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着电流的减小而缩小.利用这一特性可以研究器件热电不稳定性,结温分布的不均匀性及不均匀度,峰值结温的估算等,这对于半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

PIN结构a-Si∶H电池的光诱导弛豫现象

本文报道了用毫秒方波光脉冲对PIN结构非晶硅电池输出光电流瞬态特性的研究结果。在测得的特性曲线中,起始端出现一个与激发光波长和外加偏压有关的半宽约0.1毫秒的峰状结构。峰的产生和特性可用i层内靠p层一边的空穴积累和n层一边的电子积累解释,峰下积分面积大小可用它们的积累数目多少解释。     

Pn结中的小电流过趋热效应及理论模拟计算

晶体管在耗散功率时,结温分布一般不均匀.在晶体管子管并联模型的基础上,经过实验和理论模拟计算及验证发现:结温分布不均匀时,高温区的电流密度大于低温区的电流密度;测试电流越小,高温区与低温区电流密度的比值越大,电流越集中在高温区,且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小,这种现象称为小电流过趋热效应.利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性,计算结温分布的不均匀度,对半导体器件可靠性分析具有重要的意义.     

半导体功率器件结温的实时测量和在线测量

克服了器件在大电流测试时温度系数测不准的难题,帮助国际标准完善了实时测量和在线测量结温的方法,即在加热的同时,不改变加热状况的情况下,直接把加热电流当作测量电流,借助于校准曲线从而测量出晶体管的结温.