热处理对AlN·Al_3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响

研究了不同热处理制度对AlN.Al3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响。结果表明,该复合材料中增强相尺寸为亚微米级,最佳的热处理制度为:530℃×5h固溶,60～80℃水中淬火,160℃×14h时效。在最佳热处理制度下,复合材料的抗拉强度、硬度、伸长率分别为345MPa、108HB和3.5%,均较铸态有较大幅度提高。     

n型4H-SiC材料中位错的电学特性研究

研究位错的电学特性对于研究器件可靠性具有重要意义.文章利用拉曼散射技术在室温条件下研究了n型4H-SiC材料中位错电学特性.结果表明:螺型位错(TSD)、刃型位错(TED)的电子浓度均高于无位错区,且TSD电子浓度高于TED.结合位错结构分析认为:TED中心的半原子面存在不饱和Si键,该键通过吸附电子使其饱和并达到稳定状态,因此TED中心俘获了比无位错区更多的电子;TSD结构中,位错区域原子间的拉应力导致该区域Si原子电负性增高,因而俘获电子形成比无位错区高的电子分布.     

一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法

介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。     

基于RISC-V的神经网络卷积算法的研究与优化

为加速嵌入式平台ARM CMSIS-NN上的神经网络卷积算法,提出一种面向开源RISC-V(精简指令级架构第五代)的卷积算法.采用RISC-V的P拓展指令集中特有的8位数据操作指令,优化ARM CMSIS-NN(微处理器软件接口标准)库中因为缺少DSP指令8位数据操作指令而带来的内存使用效率不高的不足.经实验仿真和下板...     

原位AlN和Al3Ti粒子增强ZL101铝基复合材料

通过正交实验分析，利用固液反应法和气液反应法制备原位AlN—Al3Ti／ZL101复合材料并确定了其最佳成分，测试了复合材料的力学性能并对该材料进行了光学显微金相分析和透射电子显微分析．研究结果表明：AlN—Al3Ti／ZL101原位复合材料在其最佳成分配比为3．5％Ti，7％Si，通氮时间50min．强度比基体提高了25％，延伸率比基体提高7．3％；复合材料中原位生成增强体Al3Ti和AlN的尺寸分别为0．2μm和30nm左右，均匀分布于基体内部．同基体结合良好；由于细小增强相的作用，热处理后复合材料中的共晶硅以粒状形态均匀分布于基体中。     

热处理对AlN·Al3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响

研究了不同热处理制度对AlN·Al3Ti/ZL101原位复合材料力学性能的影响.结果表明,该复合材料中增强相尺寸为亚微米级,最佳的热处理制度为530℃×5 h固溶,60～80℃水中淬火,160℃×14h时效.在最佳热处理制度下,复合材料的抗拉强度、硬度、伸长率分别为345 MPa、108 HB和3.5%,均较铸态有较大幅度提高.