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该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO3的SiO2抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO2抛光液pH值为1~2时,SiO2抛光液中存在 Si—OH和 Si—O-形式;锗单晶先与HNO3反应生成Ge(NO3)4,而后Ge4+的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH 继续反应并以Ge—OH2+形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O-和Ge—OH2+在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度Sa≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。 相似文献
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董鸿林 《大庆石油地质与开发》1987,(3)
萨尔图油田注水开发以来,历年的原油分析资料表明,其物理化学性质与注水有着密切的关系。为了探讨原油物性变化规律,我们重点测定了萨尔图油田葡一组油层不同 相似文献
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该文将新型掺铈钆稼铝石榴石(Ce∶GAGG)闪烁晶体与CR 173光电倍增管耦合,并将其和分压电路、高压模块、前放电路一起封装在铝合金外壳中,制成新型Ce∶GAGG闪烁探测器。研究了不同尺寸Ce∶GAGG闪烁晶体、不同耦合方式及反射层封装材料对新型Ce∶GAGG闪烁探测器光产额和能量分辨率的影响,同时与封装好的1英寸(1英寸=2.54 cm)掺铊碘化钠(NaI(Tl))闪烁晶体进行对比实验,并对Ce∶GAGG和NaI(Tl)闪烁探测器的能量线性进行测量。实验结果表明,小体积的Ce∶GAGG闪烁探测器性能最好;光学硅脂耦合可提高闪烁探测器的性能;银反射膜(ESR膜)材料封装闪烁探测器性能最好;Ce∶GAGG闪烁探测器性能优于NaI(Tl)闪烁探测器。 相似文献
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