3.4GHz频率的S波段SAW滤波器

该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。     

高频声体波延迟线用极薄AlN薄膜制备研究

该文采用磁控溅射法在蓝宝石基片上制备出高择优取向的极薄氮化铝(AlN)压电薄膜。使用原子力显微镜(AFM)和X线衍射仪(XRD)分析了AlN压电薄膜的表面形貌和取向,并用膜厚测试仪和应力测试仪检测了AlN压电薄膜的膜厚和应力。试验结果表明,制备的AlN压电薄膜择优取向(002)良好,摇摆曲线半高宽达到3.21°,均方根粗糙度为1.56 nm,应力为-6.22 MPa。利用该文研究的AlN压电薄膜制作工艺研制的高频声体波延迟线工作频率达到24 GHz,插入损耗为50.7 dB,优于美国Teledyne公司的产品。     

基于倾斜换能器的高性能声表面波滤波器设计

基于倾斜换能器结构,采用112°XY-LiTaO3基片材料,加入群延时波动优化。同时对器件孔径、膜厚、占空比、换能器、反射器的波长及指对数进行优化,得到通带波动小于0.2dB,群延时波动小于22ns,矩形系数小于1.6的高性能声表面波滤波器。该文研制的器件具有通带平坦,群延时波动小和矩形度高等特点,有很好的实用性。     

2 GHz宽带低损耗SAW滤波器的研制

利用射频电路模拟软件中构建的声表面波(SAW)低损耗滤波器设计工具,对S波段SAW滤波器的设计技术展开研究。通过建立集总参数模型,分析高频下封装效应对滤波器性能的影响,并成功研制出中心频率达2.2GHz,最小插入损耗为-3dB,相对带宽达到7%的SAW滤波器,测试与仿真结果基本一致。     

带反射栅结构的RSPUDT声表面波滤波器设计

一般的谐振型单相单向换能器(RSPUDT)滤波器结构由两个换能器组成,声波在两个换能器之间形成谐振。在换能器间加入反射栅后,由于中间反射栅的作用,增加了声波的有效传输长度,不仅提高了设计的灵活性,最关键的是使芯片尺寸减小,最多可以减小一半。该文采用了这种带反射栅结构的谐振型单相单向换能器设计技术,设计出的谐振型单相单向换能器声表面波滤波器实测结果与仿真吻合较好。     

自动化SAW无线高度表激励源的研制

以声表面波(SAW)延迟线为核心技术,研制出大带宽、小带内波动和长延时的延迟线;通过优化延迟线连接方式和对嵌入式系统及通信系统的研究,研制出1 m步进,1～8 000 m连续可调,200 MHz带宽(3 dB)的C波段高度表激励源.该系统具有小型化,多功能性,通用性和自动化测试的特点.     

低温漂薄膜体声波谐振器研究

该文介绍了一种基于空腔结构的温度补偿型薄膜体声波谐振器(TC-FBAR)。通过在压电层上方生长SiO₂温度补偿层,实现谐振器的低温漂。未采用温度补偿的薄膜体声波谐振器,其频率温度系数约为-25×10^-6/℃。通过适当的膜层结构设计,可使其频率温度系数在±3×10^-6/℃。结果表明,由于温度补偿层的增加,导致器件总体压电效应降低,使谐振器的有效机电耦合系数降低。低温漂谐振器的实现,为窄带低温漂滤波器的研制提供了有效的设计和工艺技术支撑。     

C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5 800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。     

高阻带抑制宽带低损耗声表面波滤波器研究

基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°〖WTBX〗Y X〖WTBZ〗 LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9 dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

一种新型大带宽高通带平坦度延迟线的设计技术

采用倾斜换能器结构,通过优化设计,研制出中心频率800MHz,带宽200MHz,延迟时间为100ns～3μs且精确可控的声表面波延迟线。该系列产品的插入损耗约为-25dB,直通抑制大于35dB,三次渡越抑制大于50dB,200MHz通带内波纹小于1dB,产品综合性能指标优异。