碲镉汞合金组分分布的描述方法

介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合。用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组合分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义，该法可用于其他半导体材料的成分分析。     

磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路。该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式 ,能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征 ,实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量。电路中集成了自检测驱动单元。电路采用 4 μmP阱CMOS工艺制作。初步测试结果表明 :在 1～ 5 pF内 ,电路的灵敏度为 10 .7V/ pF ,可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求。     

磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位借和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用

在０￣４．５ＫＧｓ的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体，轴向组分分布略见平缓，而径向组分显示出明显的偏心分布。在２￣３ＫＧｓ下，径向组分均匀性有明显改善，并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路.该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式,能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征,实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量.电路中集成了自检测驱动单元.电路采用4 μm P阱CMOS工艺制作.初步测试结果表明:在1～5 pF内,电路的灵敏度为10.7 V/pF,可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求.     

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体

在横向磁场中用Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势,在头部有三种类型的分布。磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布。突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变。当安瓿绕生长轴匀速旋转时,晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征,也没有常规Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性,尾部呈现圆锥状的凸起,可能是旋转生长抑制胞状结构的证据。     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路。该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式，能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征，实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量。电路中集成了自检测驱动单元。电路采用4μmP阱CMOS工艺制作。初步测试结果表明：在1～5pF内，电路的灵敏度为10．7V／pF，可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求。     

外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究

介绍了自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置，该装置磁场强度可在０－０．６Ｔ范围内连续调节，生长区温度梯度达４０－７０℃／ｃｍ，不同磁场强度下进行了ＨｇＣｄＴｅ晶体生长实验，通过测量分析， 轴赂和径向组分分布的变化与磁场的关系，实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流以的作用，尤其是横向磁场怀流甩的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状，从而改善ＨｇＣｄＴｅ晶体径向组分分布