排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 6 毫秒
1
1.
一、液相外延—LPE LPE早在1963年就用于Ge隧道二极管的制备,后来发展为制备Ⅲ—Ⅳ族化合物及其混晶的常用有效技术。简单说来,LPE就是把生长晶体所需要的原材料(如GaAs、InP、InAs、Al等)及掺杂剂(Te、Sn、Si、Zn、Cd等)在一定温度下溶于溶剂(如Ga、In等)中,然后在生长温度下使溶液和衬底表面接触,溶液中的溶质(材料)在一定的生长条件下淀积在衬底表面形成外延层。 相似文献
2.
3.
本文介绍了一种用于Ⅲ一Ⅴ族半导体化合物生长的新的液相外延法——蒸气压控制温差液相外延法。该方法的特点在于在生长系统中引入适当的Ⅴ族元素蒸气压以抑制Ⅴ族元素空位的产生;外延生长由母液中的温度梯度来维持;生长过程中衬底温度保持恒定,且生长温度大大低于普通液相外延法。将该方法用于GaAs液相外延获得了高质量的外廷层,其室温非有意掺杂载流子浓度小于2×10~(15)/cm~3,电子霍耳迁移率大于6000cm~2/v·sec,位错腐蚀坑密度可低至470/cm~2。 相似文献
4.
5.
1.3μm波长超辐射发光二极管组件 总被引:2,自引:0,他引:2
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验,确定了器件的结构,在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用14针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括SLD、光监视用PIN光探测器、热敏电阻和半导体致冷器,可通过外电路对组件实现温控、光控,以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于300μW,最大超过700μW,光谱宽度大于30nm。 相似文献
6.
半导体激光器是光通信的重要光源,它具有固体激光器和气体激光器不能比拟的优点,即体积小、重量轻、寿命长、易调制等。对于激光器的发射波长,目前主要有称为短波长的0.8~0.9μm波段和称为长波长的1~1.6μm波段。就材料来说,短波长激光器以GaAlAs/GaAs系为主,而长波长激光器则以InGaAsP/InP系为主。 相似文献
7.
报道了1.51μm 波长 InGaAsP/InP DC-PBH 分布反馈激光器组件的结构、制作工艺和主要性能参数。 相似文献
8.
半导体红外发光二极管在光通信方面主要用于短距离、中小容量的系统。它具有体积小、重量轻、寿命长、易于制作、价格便宜、可直接调制等优点。从发射波长来划分,主要有发射波长为0.8—0.9μm的GaAlAs/GaAs发光二极管和发射波长为1—1.6μm的InGaAsP/InP发光二极管。目前的石英光纤在1—1.6μm波段的损耗远低于0.8—0.9μm波段,且在1.3μm附近色散最低、因而1—1.6μm波段的InGaAsP/InP光源尤其引人注目。 相似文献
1