快刀伺服加工多通道滤光片阵列的间隔层模具

在目标探测识别系统中,采用多通道滤光片可以提高目标与背景的信噪比,从而实现对目标信号的精准探测。基于纳米压印的阵列结构多通道滤光片制造技术,对滤光片间隔层硬模具的表面精度和结构精度具有较高的要求。根据多光谱滤光片的设计结果,基于单点金刚石车床,采用快刀伺服加工方式,实现多通道滤光片间隔层模具的高精度制造。并采用白光干涉检测技术,对模具的表面形貌进行了检测。通过分析表明,对5×5阵列结构的多通道滤光片,其加工结果与设计值吻合良好,横向尺寸精度与纵向尺寸精度均优于5%,完全满足设计要求。该技术为多通道滤光片的大规模、批量化制造提供了技术支持,同时也为非周期阵列光学元件的制造提供一种有效的手段。     

Al薄膜剥离法图形化的工艺研究

Al薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用剥离法对Al薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对Al薄膜图形化的工艺参数。     

偏压对MCECR溅射碳氮膜特性的影响

用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为 30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3.     

脉冲电弧蒸发源的研究

本文介绍西安工业学院研制的脉冲电弧蒸发源的原渐变膜的性能指标.     

低能N+注入诱导金黄色葡萄球菌的耐药与16S rRNA遗传进化研究

为了研究低能N⁺注入诱导金黄色葡萄球菌对其进化的影响,通过低能N⁺注入诱变获得耐药突变株,利用基因组De novo测序分析其16S rRNA基因的突变与耐药性变化,探索低能N⁺注入驱动金黄色葡萄球菌16S rRNA遗传进化与耐药进化的机制。结果共获得158株耐药的金黄色葡萄球菌,其中11株诱变耐药菌的16SrRNA基因序列分别出现片段缺失,GC%从51.23%改变为50.91%～53.12%,V₁,V₂,V₃和V₆区发生多个点突变,并出现对诺氟沙星、万古霉素、庆大霉素的不同耐药特征。研究证明低能N⁺注入可以引发金黄色葡萄球菌16S rRNA基因的随机突变及其耐药进化,为分析低能N⁺离子注入加速16S rRNA变异和耐药基因从头起源提供新的遗传证据。     

脉冲离子镀技术镀制DLC薄膜附着力研究

从应用的角度讨论了脉冲电弧离子镀技术镀制类金刚石薄膜的附着力问题 ,指出了影响附着力的主要因素 ,提出了增加附着力的几种途径。     

脉冲真空电弧离子镀发射特性的测量

通过大量工艺实验,镀制了改变脉冲真空电弧离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数的样品,选择了一种合适的膜厚测量仪器进行了膜厚分布测量,获得了离子源各种工艺参数对其发射特性影响的曲线.     

脉冲电弧源的发射特性建模

脉冲电弧源是脉冲电弧离子镀方法制备薄膜的重要部件，其发射特性是影响薄膜均匀性的重要因素，本文从理论出发，建立脉冲电弧源发射特性的数学模型，编程计算得到理论的均匀性曲线，与实际的沉积薄膜厚度的均匀性对比，结果表明：脉冲电弧源的蒸发特性可以等效于多个面源的叠加，每一个面源发射的离子密度空间分布符合余弦定律。     

脉冲真空放电离子密度的测量

由于采用脉冲放电沉积技术能够克服连续电弧离子镀沉积时产生的液滴及负偏压放电的缺点，特别是它在镀制类金刚石薄膜中显示出来的独特性能：不含氢和硬度高，使其在薄膜沉积技术中越来越受到广大研究者的重视。为了更深入地研究薄膜的沉积工艺和薄膜性能之间的关系，迫切需要对脉冲真空放电等离子体的微观参数进行深入透彻的研究，如离子密度及其空间分布等。本文介绍了测量脉冲真空电弧离子源离子密度的方法，并采用该方法测量了脉冲真空电弧离子源离子密度及其空间分布，分析和研究了影响离子空间分布的各种参数。     

磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究

采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18％,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm.