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用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAS/AIGaAS量子阱结构中荧光上升时间τf和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τf,随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反,在窄阱中τf随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的.同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的. 相似文献
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本文首次报道(311)面上生长的GaAs/AIAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移。在Ⅱ类超晶格中,局域化级成为X能谷电子向T能谷输运的通道,从而加强了X-T电子态混合,使实验观察到X跃迁表现出T跃迁的某些性质。 相似文献
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