基板支撑梢对TFT栅界面SiN_x和a-Si成膜特性的影响

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜,对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支撑梢对氮化硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)高于非基板支撑梢区域,氢含量及[SiH/NH]值高于非基板支撑梢;对氢化非晶硅薄膜的影响是:基板支撑梢区域的膜厚(沉积速率)小于非基板支撑梢区域,氢含量高于非基板支撑梢。并对成膜影响的机理进行了分析讨论。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

广电行业进一步提高客户粘着度的对策——以江苏有线镇江分公司为例

本文以有效提高广电行业客户粘着度为目的，以实际调研为方法，以江苏有线镇江分公司为个案，从市场观察、实际做法、不足分析等方面入手，致力于找到实际可行的对策，以小见大，来解决广电行业发展过程中—些亟待解决的难题。     

电容式触摸屏气泡线不良的研究与改善

在触控产品的制作过程中,气泡线不良严重影响着产品的外观品质。本文从气泡线的产生机理入手进行研究,发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致。本文从设计面、工艺面对气泡线的影响因子进行了研究,实验发现有机膜边界设计位置、有机膜厚度、偏光片贴附相关工艺以及偏光片中PSA厚度对气泡线不良影响显著。其中有机膜边界设计位置远离显示区,降低有机膜与偏光片交叠宽度,可以使脱泡时气泡更容易排出而改善气泡线不良;降低有机膜厚度,可以减少偏光片贴附时有机膜断差位置气泡积累而改善气泡线不良;偏光片贴附相关工艺中增加贴附压力、降低贴附速度、增加脱泡时间,可以减少气泡积累以及增加排出而改善气泡线不良;增加偏光片中PSA胶层的厚度,可以在偏光片贴附时获得更大的弹性及压入量,减少气泡的积累而改善气泡线不良。研究结果表明,以上改善方法均能有效降低气泡线的发生率,实际生产时可采用组合对策,避免气泡线不良的发生。     

广电网络在交管“放管服”领域的应用创新

"电视交警"综合服务平台是深化落实交管"放管服"要求,有效打通交管业务与数字电视公共民生服务体系的有效举措。"电视交警"综合服务平台通过大小屏联动、线上线下业务融合,打造了锡城"交管新名片",开创了本地"智慧广电"民生服务新模式。     

TFT工艺中的反应性离子刻蚀

对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。     

TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ）常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。     

织物的抗菌防臭整理机理

近年来，抗菌防臭纺织品的研究十分活跃，美、日、英、法、瑞士等相继进行了抗菌防臭整理的研究，开发出了系列抗菌纺织品如运动服、内外衣、袜子、手套、被子、室内装饰品、抹布、帐篷、美术画布、鞋袜、医用抗菌纱布等供应市场，颇受欢迎。     

IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀

IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。