硅微电子技术的极限研究与潜力开拓

本文在讨论硅微电子技术发展限制基础上，提出了一个在今后３０年内应该引起高度重视的“复合功能电子学”的概念，内容及其实例。     

乔布斯改变了半导体行业的游戏规则

今年,最热门的话题都跟乔布斯有关。因此,当《电子产品世界》约稿时,我们也免不了趋俗,谈谈有关乔布斯影响半导体行业的动向问题。乔布斯没有原创些什么新东西,但是他却在"早就有了"的音乐播放机,蜂窝电话,平板电脑等基础上,推出     

微电子重大发展态势分析

从“硅技术是否已出现新的发展态势？”、“推动技术进步的模式是否在演变？”和“在这些演变中我们要注视些什么？”三个方面,探讨主流半导体技术（硅技术）发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重要的作用,并以此为依据,讨论中电科技集团公司发挥综合优势,在我国电子技术领域中,发挥应有的主力军作用。     

一种Virtex系列FPGA配置数据无损压缩算法

随着FPGA规模大幅度提高,配置数据的规模也迅速增加,从而导致FPGA重构时间的增加,并使得存储多个配置的存储器成为基于FPGA的嵌入式系统成本的最大因素.针对Virtex系列FPGA配置数据的结构特点,提出了一种基于LZW改进的配置数据压缩算法,并通过数字信号处理领域和数字通信领域的5个常用模块进行验证,取得了显著的压缩效果.     

用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs

首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。     

电可擦除集成电路的发展及关键技术（一）

电可擦集成电路包括电可擦可编程唯读存储器，闪烁存储器和可编程电可擦逻辑器件三大类。本文首先扼要回顾电可擦集成电路的发展历史，然后分别介绍ＥＥＰＲＯＭ，的原理，市场，最后给出了ＥＥＩＣ的关键技术。     

用户可重构系统芯片-U-SoC

随着深亚微米技术(DSM)的不断发展,完全专用的系统芯片(SoC)已经面临新的问题和挑战.本文在研究硅技术发展趋势、硅产品特征循环规律以及硅产业结构演变规律的基础上,提出了一种具有一定"通用"性的用户可重构系统芯片(UserreconfigurableSoC,简称U-SoC),它通过用户重构功能降低新产品的开发成本,缩短上市周期,提高设计效率,从而增强了SoC的适应性和灵活性.研究U-SoC设计方法,对于加速我国微电子产业的发展进程,实现跨越式发展有重要作用.     

微电子学发展路向思考

本文从人类社会生产力的演变过程、微电子学的应用对象特点及硅微电子学自身发展逻辑等方面探讨了微电子学发展的可能路向。并预测,人类在掌握金属铁器、非金属硅器等时代工具之后,将向掌握有机物器具方向过渡。这样,微电子学将向生物电子学发展,因此,下一世纪人类将面临一个“生命工程”的技术浪潮。     

集成电路发展哲理(根据录音整理)

半导体技术极其丰富多彩,身陷其景,会有"不识庐山真面目,只缘身在此山中"的感触。为此,既要"近赏细微",又要"临空浏览",以期从中领悟到一些哲理。