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本文对3～5微米(Hg·Cd)Te原生晶片在不经过复杂处理的情况下,能够测试出晶片有明显的吸收缘存在,由吸收缘可以确定截止波长λ_c,从而确定禁带宽度E_g,因为半导体(Hg·Cd)Te的禁带宽度和组份(x)温度(T)可以用半经验公式描述,可以计算出原生晶片的x值,同时将测试过吸收缘的晶片测电学参数,经这样选择过的晶片能制得波段合适,探测率较高的器件。 相似文献
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