系统芯片（SOC）与系统级封装（SIP）

系统芯片和系统级封装是目前微电子技术高速发展的两种技术路线，本文讨论了系统的基本概念，针对两种技术路线的基本特点进行了介绍和分析，从工艺兼容性、已知好芯片问题、封装、市场及设计的角度比较了两者的优缺点。     

一种新颖的微电子封装:圆片级封装

本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装－圆片级封装（WLP）的定义，主要优缺点，焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。     

集成电路陶瓷封装热阻RT—JC的有限元分析

给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和上壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度，芯片面积，芯片粘接层热导率的关系。     

功率GaAs MESFET的热阻测试

阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对△ＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。     

微电子封装的现状及发展

一、前言目前微电子产业已逐渐演变为设计、制造和封装三个相对独立的产业。由于微电子封装业相对于其它两个产业要求投资少、技术低、劳动力密集、厂房大、投资收益快等特点，因此正在我国迅速发展。二、微电子技术推动封装的发展微电子技术的迅猛发展，集成电路复杂度的增加一个电子系统的大部分功能都可集成在一个单芯片内（即片上系统），这就相应的要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的热耗散能力、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等根据美国半导体工业协会等所…     

功率半导体器件芯片背面多层金属层技术

本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。     

微电子封装的发展及封装标准

分析了当前微电子封装的发展趋势，简要介绍了2002年国际电工委员会年会(北京)47D分组会上讨论和通过的半导体器件封装标准的情况。     

封装内水气含量的影响及控制

本文介绍了电子元器件气密封装内的水汽含量对器件可靠性的影响,封装内水气的三个主要来源及控制方法。