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讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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热载流子注入对MOS结构C—V和I—V特性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C-V特性曲线畸变,平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的t^n物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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GexSi1—x/Si异质结大截面脊形BOA型光开关的模型分析及设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种简便可行的GexSi1-x/Si异质结无间距定向耦合光开关(BOA型)模型分析方法。该方法采用等离子体色散效应分析了这种光开关的电学调制机理;采用异质结超注入原理分析了开关的电学性质;并根据大截面单模脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的Ge0.1Si0.9/Si异质结BOA开关的结构参数和电学参数。 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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少数载流子在Si-SiO2界面的复合对双极器件的影响很大,文中通过对采用SiO2膜和SiO2-Si3N4双层膜一次钝化的电容和栅控外延NPN晶体管表面电特性的研究,发现SiO2-Si3N4一次钝化膜能减小基区表面电流,文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区(或基区表面电势)变化的理论模型,该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线,从而为器件的计算机模拟提供了更加精 相似文献