SnO_2/Fe_2O_3多层结构薄膜型气敏元件的研究

本文报导了采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备 SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜气体敏感材料及敏感元件的性质。所研制的多层薄膜在保持对乙醇有较高的灵敏度及较好的响应恢复时间的同时,其稳定件较单层膜有明显地改善。乙醇和汽油的分离倍数达10左右,对其它气体分离倍数更高。研究表明所制备的 SnO_2/Fe_2O_3薄膜材料可用于开发新型气敏元件。     

薄层稠油低品位储量开发技术研究与实践

本文以杜48块杜0组油层为研究对象,利用高精度高分辨率层序地层学和储层反演技术识别薄层有利单砂体,并综合应用三维储层精细地质建模和油藏数值模拟一体化技术开展油藏精细描述。通过丰富低阻油藏成藏规律认识,结合现场试采,重新修正四性关系图版,新增动用储量449×10^4t。目前已成为薄层稠油油藏吞吐后期二次开发的典型区块,为薄层同类稠油油藏开发后期挖潜提供技术借鉴。     

应用气相升华法制备CdTe晶体及其性质的研究

本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,是一种很有应用前途的方法。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究

用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导及气敏测量分析结果支持过渡层具有低电导、低灵敏特性的假设。AES,XPS及气敏特性的研究表明,退火过程不是形成过渡层的主要原因。过渡层的形成源与沉积过程中的等离子体的作用。     

SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜与SnO_2单层薄膜特性差异的研究

用等离子体化学气相淀积法制备的SnO_2/Fe_2O_3多层膜的一些电学特性和气敏特性不同于SnO_2单层膜.当SnO_2层的沉积时间很短时,多层膜在空气中及在敏感气氛中的电导随沉积时间的增加而下降.多层膜的响应及恢复时间也呈现一些反常的变化.本文提出一个包括过渡层在内的模型用以解释这些现象.过渡层可在沉积过程中产生,存在于SnO_2与Fe_2O_3界面附近,其厚度达30nm数量级.