GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.     

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

侧铣不可展直纹面模具原理性加工误差计算方法

分析了侧铣不可展直纹面模具的原理性加工误差的来源及特点，提出通过计算被加工表面各点到刀具旋转轴扫掠面的距离以确定误差分布，为刀位主动补偿和后续加工提供了依据。采用有限次离散和平面替代的方法求取点到曲面之间的距离，根据求解精度要求确定曲面最小离散次数，提高了计算效率，平面替代法将问题简化为可精确求解的点到平面的距离问题。实例通过与三坐标测量结果的对比验证了算法的可靠性。     

静压下GaAs_(1-x)P_x混晶的喇曼散射

在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs_(1-x)P_x(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs_(1-x)P_x混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系数计算了类GaP的LO模的模式Gruneisen参数。     

低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光

在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．     

基于半径和角偏置的直纹面五坐标加工刀位生成算法

引入直纹面基线的曲率因素建立五坐标侧刃铣直纹面误差分析模型.通过研究刀轴矢量与母线、基线的空间关系提出角偏置概念,并推导出偏置角的求解方程.在此基础上提出半径和角偏置法,应用于直纹面五坐标加工刀位的计算,消除母线两端法矢异向引起的过切误差,实现对直纹面基线的精确加工,误差的总体分布也得到改善.实例分析误差分布与母线长度、法矢夹角等相关参数的关系,通过与半径偏置法进行误差分布指标量的对比证明该算法具有精度高、工艺性好等优点.     

GaP:N,Zn中等电子陷阱与Zn受主之间的辐射复合

本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变化关系,表明了NN_1中心裸电子态的存在.本工作证实了NN_1和NN_3中心的HTL模型.     

压气机叶片尾缘增厚方法的分析与研究

受限于制造能力,压气机叶片的尾缘需要增厚。为了尽可能保持原有设计的气动性能,对两种不同的尾缘增厚方法进行了数值模拟研究。第一种方法尽可能保持了原有叶型的吸/压力面型线,以移动尾缘圆心的方式获得增厚叶型,叶型的弦长缩短;第二种方法保持了原有叶型的弦长,以改变二维叶型局部厚度分布的方式获得增厚叶型。数值模拟结果显示,在一致的尾缘厚度下,两种尾缘增厚方法对压气机叶片的稠度、展弦比、扩压能力和气流折转能力均产生了不同的影响。相较而言,方法一导致了压气机叶片的负荷降低,扩压和气流折转能力下降;方法二能够更大程度的保持气动性能。建议采用方法二对过薄的叶片尾缘进行加厚处理。     

三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金拉曼光谱研究

测量了室温下三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４８）和四元（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金背散射配置下的喇曼光谱。三元ＧａｘＩｎ１－ｘＰ的喇曼谱表现为双模形式,在ＤＡＬＡ带上叠加了ＦＬＡ模,在有序样品中观察到了类ＧａＰ的ＴＯ１横和类ＩｎＰ的ＴＯ２模,类ＧａＰ的ＬＯ１模和类ＩｎＰ的ＬＯ２模的分裂,表示有序度的ｂ／ａ比从无序样品的０．４０变化到有序样品的０．１０,有序样品ｂ