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用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜 总被引:5,自引:1,他引:5
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0.21和0.321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础. 相似文献
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太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能 总被引:1,自引:2,他引:1
在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中,薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜.通过分析近空间沉积的物理机制,测量近空间沉积装置内温度分布,对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe,此外,还有CdS和SnO2:F衍射峰,CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加.透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的串联集成电池。 相似文献
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氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质 总被引:7,自引:2,他引:7
研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构.研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达1338%的小面积CdTe 薄膜太阳电池. 相似文献
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CdS/CdTe叠层太阳电池的制备及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值. 相似文献
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在CdTe太阳电池的制备中,采用工艺简单的Te/Cu/Ni结构作为接触来改善CdTe太阳电池的接触特性.采用不同的温度组合对这种结构的CdTe太阳电池进行退火处理.通过热处理前后电池的性能参数变化和暗态I~V、C~V曲线分析了Te/Cu/Ni接触对器件性能的影响.通过分析可以认为Te/Cu/Ni接触的热处理对CdTe太阳电池的性能有重要影响.当Cu退火温度较低时(130 ℃,160 ℃),Te/Cu/Ni的再处理能够显著提高电池效率,使电池最终效率高于Cu高温退火的电池.而Cu退火温度较高时(190 ℃),Te/Cu/Ni的再处理使器件性能变差,且Te/Cu/Ni热处理温度越高,电池性能下降越厉害.实验证明Te/Cu/Ni结构作为CdTe太阳电池的背接触经过合适热处理可能改善电池性能,而且工艺比较简单. 相似文献