彩色等离子体显示器的新进展

扼要地介绍了近年来世界上各大公司对彩色PDP的结构和驱动方法的改进 ,将现今彩色PDP的亮度、对比度和色纯度等主要性能与过去相比 ,得到明显的改善 ,达到了与高清晰度CRT相当的性能。     

低温、真空的相互结合与发展

当代科技的一个显著特点是各个学科领域间的相互渗透与相互结合,基于这一点,许多科技领域取得了新的进展。同样,低温技术和真空技术,为适应现代科学技术及工农业发展的需要,二者之间的结合更加紧密。研究、制造和技术交流的现实是:许多真空技术研究     

等离子体显示器亮度和光效改进方法

本文阐述了提高等离子体显示器（ＰＤＰ）发光亮度和效率的重要性，并就影响大屏幕等离子体显示器发光亮度和效率的因素进行了分析，对显示器亮度和光效的改进方法进行了分类，并对发光亮度和效率改进方面的现状、进展及存在的问题进行了概括和总结。     

紧凑型荧光灯高频工作特性研究

利用自行研制的荧光灯高频工作参数测试系统，测试了几种紧凑型荧光灯的高频工作光电参数，阐明了高频电子镇流器的频率、波形对灯的光通、光效、功率因数等光电参数的影响情况，并找出了灯的最佳工作频率，为生产高质量的灯管和电子镇流器提供了理论依据。     

工艺参数对氧化镁(MgO)薄膜的结构影响

氧化镁（ＭｇＯ）薄膜作为等离子体显示器（ＰＤＰ）的介质保护膜，其结构对于显示器的工作特性有重要影响。本文研究了ＭｇＯ薄膜在制备过程中工艺条件对薄膜结构的影响。结果表明：ＭｇＯ薄膜有（１１１）晶面的择优取向；基底温度超低或沉积速率越低，择优取向越明显；薄膜厚度或退火温度增加，各衍射强度增强；择优取向不变。     

老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO薄膜二次电子发射系数的影响

在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub～pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响.结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定.与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定.当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低.本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff.     

Lichtenberg Figures技术的新应用

本文叙述了Ｌｉｃｈｔｅｎｂｅｒｇ Ｆｉｇｕｒｅｓ（李庭博图）技术的新应用,即Ｋｉｒｌｉａｎ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｙ（电晕放电成像）技术的基本原理。提出了成像清晰度的关键问题是外部电脉冲的宽度,并用纳秒脉冲放电技术获得了清晰的电晕像。同时就Ｋｉｒｌｉａｎ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｙ的应用提出了一些看法。     

质谱分析技术在继电器研究中的应用

本文主要论述了四极质谱计的原理与特性。在继电器生产研究中,质谱分析技术应用于:各类密封空间的气氛分析;各种气体对触点电弧烧蚀的影响,所用材料的释放气体特性;充入密封继电器内气体的组分和纯度;监测引线及密封罩壳的气密性等,并列举了质谱分析技术在继电器生产中应用的实例,预测了其发展前景。     

确定真空蒸镀起始压强的方法

真空蒸镀时镀膜室内的环境压强如何选择才合适，这是获得优良薄膜的重要前提。本文简要论述压强Ｐｒ与工件相对蒸发源距离Ｌ间的关系，从而确定蒸发镀膜时所需的起始压强大小。     

氧分压对氧化镁薄膜结构的影响

在氧气环境中电子束蒸发氧化镁制备出高结晶度的氧化镁薄膜。利用X射线衍射、扫描电镜、分光光度计及轮廓仪等测试手段分析了薄膜的性能。结果发现 :通氧气制备的MgO薄膜的结晶度比不通氧气时要高得多。基底温度、通氧气量和退火处理对结晶度的影响较大。选择适当的基底温度和通氧气量 ,可获得高结晶度的MgO薄膜 ;通氧气制备的MgO膜呈柱状结构 ,随着基底温度升高 ,薄膜的晶粒尺寸增大 ,晶界减少 ,最大晶粒尺寸达 12 0nm以上。薄膜的平均透射比在 0 9以上 ,折射率在 1 5 5～ 1 70之间。增加通氧气量或降低基底温度 ,折射率减小。