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研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 相似文献
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研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪,其测量波长范围为2.5~12.5μm,入射角度在20°~90°连续可变.系统数据采集、前放自动增益控制、入射角度和波长设置及扫描均由计算机自动控制.给出了金反射率和GaAs体材料折射率椭偏测量,并与其它方法进行了对比,并分析了实验测量技巧和主要实验误差 相似文献
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利用时间光辨光谱技术,在11 ̄90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。 相似文献
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提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同. 相似文献
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