利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。     

用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。