8mm和3mm硅双漂移大功率脉冲崩越器件的研究

<正>固态脉冲振荡源是许多毫米波系统的关键部件.由于它体积小、重量轻、电源电压低,用途极为广泛.崩越器件在脉冲状态工作时可以大大缓解连续波工作时产生的散热问题,使器件输出功率的热限制上浮,因而能大幅度地提高输出峰值功率.双漂移崩越器件较之单漂移器件有如下优点,即输出功率大、转换效率高、容易与电路匹配、结构对称有利于降低噪声等.但是对多层结构的外延材料的掺杂分布、均匀性、完整性提出了极高的要求、工艺上难度大.目前8mm脉冲振荡源大多采用双漂移模式的崩越器件.     

三毫米硅P~+NN~+崩越二极管(Ⅰ)

——本文叙述了三毫米硅P~+NN~+崩越二极管的参数设计考虑及结果.根据这一考虑而研制的用超小型陶瓷管壳封装的硅P~+NN~+崩越二极管在90到126GHz范围内功率输出大于30mW,效率η≥1.5%.最佳结果为103GHz下输出115mW,η为3.6%.     

GaAs高-低IMPATT二极管的掺杂分布和伏安特性分析

由于多层外延材料浓度和厚度的不均匀性,实验二极管的击穿电压V_B有较大的差别.为此对给定的掺杂分布进行V_B、耗尽宽度及电场的分析和计算.从实验中找到室温下掺杂分布和伏安特性之间的对应关系.实际选择管芯时,应根据击穿电压值和大电流下的伏安特性曲线进行挑选.这种挑选管芯的方法已在器件批量生产中应用.     

不同结构的硅崩越二极管雪崩区宽度计算

本文采用类Misawa方法解连续性方程和泊松方程,引用Grant离化率数据和Canali等人的饱和速度数据,借助计算机计算硅单边和双边突变结不同温度下雪崩区及空间电荷区宽度等静态参量,并给出相应的曲线.已利用这些结果设计和研制成3mm P~+NN~+崩越二极管和8mmP~+PNN~+双漂移崩越二极管,获得了良好性能.     

1990年国际毫米波远红外技术会议

<正>由美国Georgia工学院、中国电子学会以及IEEE的MTT分会发起的首次ICMWPT会议于1990年6月18日至21日在北京举行.与会代表约120人.来自美国、苏联、日本、联邦德国、芬兰等国的约30位学者和我国的科技工作者进行了广泛的学术交流.大会共收到227篇论文,其中中国的占46%,会上宣读的占52%.并组织了题为“波谱”、“固态毫米波器件”、“激光”、“回旋管(Gyrotron)和自由电子激光(FEL)”、“系统及其应用”和“大气效应”等6个专题讨论.8个单位参加了成品展览,展示了我国毫米波红外技术的风貌.