带有转向器的MOS双门极EST晶闸管

对带有ｐ型转向器的ＭＯＳ双门极ＥＳＴ晶闸管（ＤＧＥＳＴＤ）进行了研究,该ｐ型转向器与双门极的结合使得空穴电流分流,从而明显改善了传统ＥＳＴ的正向偏置安全工作区（ＦＢＳＯＡ）,提高了其开开关能力。用ＴＭＡ ＭＥＤＩＣＩ商用器件模拟软件对ＤＧＥＳＴＤ特性进行了模拟验证。     

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全工作区

用二维 MEDICI商用器件模拟软件对双 MOS门极控制的发射极开关晶闸管 EST( Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区 FBSOA( Forward Biased Safe- Operation-Area)及其关断动态的电流分布进行了模拟研究 .证明该器件采用 P型转向器 ( diverter)与双MOS门极相结合的结构使得空穴电流分流从而显著地提高了 EST的开关能力 ,其 FBSOA也有明显展宽     

双MOS门极控制的EST的开关特性和安全T作区

用二维MEDICI商用器件模拟软件对双MOS门极控制的发射极开关晶闸管EST(Emitter Switched Thyristor)的正偏置安全工作区FBSOA(Forward Biased Safe-Operation-Area)及其关断动态的电流分布进行了模拟研究.证明该器件采用P型转向器(diverter)与双MOS门极相结合的结构使得空穴电流分流从而显著地提高了EST的开关能力,其FBSOA也有明显展宽.