分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用

在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。     

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ—Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果。     

实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制

本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础.     

化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料

在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10~(15)cm~(-3),μ_(300K)=280cm~2/V·s,μ_(77K)=5000cm~2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料

我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析．