室温下波长1.5μm的量子线激光器

<正>据日本《O Plus E》1992年第156期报道,日本东京工业大学研制量子线激光器,已成功地在室温下产生波长1.5μm的连续光振荡。用电子束(EB)把多重量子阱结构的发光层,制成宽30nm细线结构,量子线激光器可能用于通信。若量子线的宽度一定,密度增加,可得到的最高光电转换效率达90％以上。     

世界最小栅长14nmMOS晶体管

据《电子技术》1997年第11期报道,NEC公司研制成栅长14nm的世界最小的MOS晶体管,并可正常工作。因此,有望研制成10Tb级存储器。研制这种晶体管的关键是解决10nm的微细加工技术和形成10nm以下的浅源--漏区域技术。为此,该公司实验了能形成10nm图形的独特电子束曝光技术,以形成浅源--漏区域。根据这些技术,制造了一种称之为电场调变浅结MOSFET,并具有双栅结构。该器件的特性为:在30nm的珊长中,确认短沟道效应较少,电流的ON／OFF比达10万倍以上。这样的MOSFET的性能具有10Tb级存储器的工作能力,已得到初步验证。世界最小栅长14nmMO…     

用于19～64GHz数字射频的GaAs混频器

据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道，ＴＲＷ公司已研制成７种新的毫米波ＧａＡｓＨＢＴＭＭＩＣ混频器，迅速增加民用通信产品的种类，并已包括ＭＭＩＣ放大器和ＭＭＩＣ全集成模块。研制成新的超小型ＭＭＩＣ混频器，可用于宽带点对点接收机和发射机以及点对多点的无线电系统，通常的工作频率为１９～６４ＧＨｚ。这７种芯片包括双平衡和镜像混频器。ＴＲＷ公司垂直结构的ＨＢＴ肖特基二极管混频器可提供低的变频损耗，高的端口间隔离和最小电路间差异，典型的例子是：·ＭＤＢ１７６和ＭＤＢ１７２Ｃ…     

频率为26GHz的大功率器件

据《学会志》1996年第1期报道，日本NEC公司已制成作卫星通信用固态放大器的AIGaAs异质结双极晶体管（HBT）。在26GHz下实现了每个单元650mw，为以前FET4倍以上功率。其关键技术是：（1）由于采用斜面状的InGaAs基区，缩短了电子的渡越时间。外基区层采用高浓度GaAs层，降低基区电阻；由于采用三维热模拟，可得到最佳的指状发射极密度；（2）把衬底穿通孔靠近大的指状发射极，可降低接地阻抗。目前的HBT单元的发射极采用12条指状结构，再制成排列几个单元的多个模块结构，以实现卫星通信所需要的几十瓦的大功率。频率为26GHz的大…     

0.07μm的CMOS器件

据（SemiconductoWorld）报道，日本NEC公司开发了0．07pm尺寸的CMOS晶体管，用约400只晶体管制作环行振荡器，在电源电压1．5V，低附加电流下，可高速工作，延迟时间为19．7ps。目前，单只晶体管尺寸已有004pm的报道，但对IC来说，该公司0·07pm尺寸是最小的，为实现GHZI作和16GbDRAM奠定了基础。实际微细化时所存在的问题是：缩短栅长而产生的阈值电压误差，且栅阻抗就增大。为了克服这些问题，采用以下技术。首先，为了防止阈值误差和附加电流的增加，控制短沟道效应，采用了固态扩散法，在控制沟道效应方面，把源一记结作成没…     

新型研究用的MBE设备

<正>据《OPTRONICS》1992年第11期报道,日本日新电机公司已开发成新型研究用的MBE设备“MiniBEa”。MBE法在133.32×10~(11)Pa的超高真空中加热固体材料,把其分子淀积在衬底上而生长单晶。控制膜厚可到原子层,得到优质的单晶薄膜。以前,采用Ⅲ-Ⅴ族材料进行广泛的器件研究和生产,近来MBE法采用Ⅱ-Ⅵ族材料,注意力集中在发光器件的研究。采用Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的发光器件不用非线性光学材料而直接发射绿光,提高光盘的记录密度,并可望应用于显示器,其研究工作相当活跃。     

GaAs人工网膜芯片

ＧａＡｓ人工网膜芯片据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏＷｏｒｌｄ》１９９５年第５期报道，日本三菱电机公司已制成采用１２８Ｘ１２８个Ｐｎ－ｕＰ型灵敏可变光敏器件（ＶＳＰＤ）阵列的人工网膜芯片，可应用于输入图像轮廓检出和图像压缩，以及１９４５文字的大规模汉字识...     

观察硅晶体的生长技术

观察硅晶体的生长技术据《学会志》１９９２年第１１期报道，日本日立制作所在世界上率先使用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了硅晶体生长中原子逐个增加的现象。观察生长过程必须加热样品，但存在一个问题，控制ＳＴＭ探针的压电元件不耐热。为此，该公司把样品减薄到通常...     

世界最高速16M SRAM

世界最高速１６ＭＳＲＡＭ据日本《电子材料》杂志１９９３年第４期报道，日本索尼公司已研制成世界最高存取速度９ｕｓ的１６ＭｂＳＲＡＭ。这种ＳＲＡＭ在电路内进行信号放大的读出放大器中，采用了输入阻抗小的反馈式电流读出放大器，并可用作高速存取。以前的ＳＲＡＭ...     

高均匀性的单晶生长

<正>据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本NEC公司采用拉晶法生长单晶时,在Si熔液对流中发现具有涡流结构的非轴对称流和没有涡流结构的轴对称流现象。这种现象的存在与否明显地影响着生长单晶的质量。为了制作氧均匀分布的优质单晶,首次得出应在无涡流条件下制作单晶的结论。 该公司为了制作优质的Si单晶,对熔液对流的理解并进行控制极为重要,开发了独特的X射线透视装置。该装置在高温下,可直接观察不透明Si熔体的对流。进行三维性Si对流观察,结果发现,在Si单晶生长中,由于温度梯度、坩埚和单晶的旋转速度等原因,在Si熔液的对流中也存在非轴对称流。由于这种涡流的存在,使Si熔液内的温度和氧的分布发生很大变化,从而妨碍了氧的均匀分布与优质Si单晶的生长。