单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器

报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合,可在较宽范围内实现波长快速调谐的EML     

用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器

我们采用液相外延的方法，在ｎ－ＧａＡｓ衬底上生长分别限制单量子阶作为激光器的有源区．国内首次采用银膜作为垂直短腔面发射激光器的谐振腔的反射镜和欧姆接触电极．分别制作了底部和顶部出光的两种类型管子，在室温脉冲工作状态下，均已观察到激射．顶部出光管子阈值电流为４．５Ａ；底部出光管子阈值电流为３．８Ａ．激射波长为８７２．８ｎｍ，纵模间隔为１．９ｕｍ．同时还研究了不同银膜厚度在ＧａＡｓ界面上的反射率．     

Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

本文系统地研究了用固相反应再生长法在Ｐ型ＧａＡｓ衬底上制备的Ｐｄ／Ｓｂ（Ｍｎ）薄膜的光学性质．通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表明,在近红外区存在一个较强的反射峰;当薄膜厚度为５０ｎｍ左右,退火温度在３００℃到３５０℃,钯与锑原子比为１∶１时,可以得到较大的反射和一定的透射,有可能用作垂直腔面发射半导体激光器的Ｐ型边谐振腔镜兼注入电极．     

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。     

半导体DH条形激光器的瞬态稳定性与稳态稳定性的关系

从实验上研究了GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH条形激光器的稳态束腰、束宽和激光功率随电流变化的规律与瞬态自脉动的关系。随着稳态注入电流的变化,激光器的垂直束腰位置都在镜面上,其束宽不变;不管水平束腰位置是否有变化,水平束腰宽有明显变化时,其瞬态往往出现自脉动,而出现自脉动的电流范围往往在光功率特性的A、B扭折之间。     

关于砷化镓自生长氧化膜的研究

本文研究了砷化镓阳极氧化和热氧化的规律,并测量了自生长氧化膜的x光衍射谱、红外吸收光谱、折射率、线胀系数和杨氏模量.这些数据表明,GaAs自生长氧化膜可应用于以GaAs为衬底的平面光学器件及集成光学,同时,利用热氧化膜时,必须考虑应力及光弹性效应.     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究

在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。     

梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制

本文采用求解光场方程，载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制．计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响．结果表明，在这种结构的半导体激光器中，一阶模的辐射损耗总比基模大，因而可以很好地抑制高阶横模．增大限制区的倾角，虽然有利于实现单基模工作，但是因为基模的辐射损耗也随之增大，从而激光器的阈值电流也相应增大．对于一定的有源区半径，我们找到了不同限制区倾角时单基横模工作的注入电流区域．从而可以确定在特定的注入电流范