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本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10~(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P~+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10~(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。 相似文献
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“Au-n~+(薄)-Inp”结构及界面特性分析夏瑞东,陈定钦(首都师范大学物理系100037)(中国科学院半导体所100083)摘要采用"AES"技术分析了Au-InP接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Au向Inp一侧内扩散,并认为正是这种高掺?.. 相似文献
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本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10~(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。 相似文献
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陈定钦 《固体电子学研究与进展》1988,(3)
<正> 制作平面Gunn畴雪崩器件的材料是在掺Cr的高阻GaAs衬底上汽相外延一层n-GaAs,其电子浓度为1×10~(15)~1×10~(18)cm~(-3),厚度为6~15μm,迁移率为4000~7500cm~2/V·s。在这样的材料上生长SiO_2,常压下,当衬底温度大于630℃时,由于As的升华,使GaAs的晶体完整性受到损坏,而在较低温度下(如420~450℃)淀积时,SiO_2常出现破裂或脱落现象。 GaAs的热膨胀系数为5.9×10~(-6)℃~(-1),而SiO_2为0.4×10~(-6)℃~1,相差一个数量级以上;此外,SiO_2的应力,300K时为1~6×10~3N/cm。实验表明,在GaAs上淀积的SiO_2厚度超过5000(?)时便产生破裂。而P_2O_5在GaAs上淀积1500(?),却未观察到裂纹,因为P_2O_5的热 相似文献
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采用“夹层结构”的方法,在制作平面型Gunn畴雪崩器件的n型GaAs外延材料上,低温淀积SiO2并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。 相似文献
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用国产MBE调,制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物栅的耗尽型高电子迁移率晶体器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为1.2-1.5μm和2×160μm。 相似文献
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