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1.
采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*,通过对共振峰线形的拟合,获得二维电子气浓度Ns、电子散射时间τ和迁移率μ.由子能带-朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距.讨论了导带非线抛物性对电子回旋共振有效质量的影响  相似文献   
2.
本文基于一个伴随LO声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型,采用MonteCarlo方法,对掺施主杂质的半导体光电导谱中与LO声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟,并与Si掺杂的GaAs及InP的实验结果作了比较.  相似文献   
3.
Hg0.6Cd0.4Te的激子光电导谱   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报道了Hg0.6Cd0.4Te红外光电导谱,在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应  相似文献   
4.
本文报道了GaAs中Si浅施主的博里叶变换红外(FTIR)磁光电导谱.观察到非零磁场下从类氢束缚基态到施主高亚稳态的跃迁.采用变分方法计算了跃迁能量以及这些高亚稳态的离化能的磁场关系,并与实验结果进行了比较.  相似文献   
5.
本文基于一个伴随LO声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型,采用MonteCarlo方法,对掺施主杂质的半导体光电导谱中与LO声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟,并与Si掺杂的GaAs及InP的实验结果作了比较.  相似文献   
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