采用SDB／SOI衬底的PH传感器

采用SDB/SOI材料制备的ISFET型 PH传感器减小了衬底漏电流,改善了PH传感器的温漂时漂等特性。本文提出的结构对PH传感器的实用化是引人注目的。     

新颖的双栅高压MOS集成电路

本文分析了高压MOS器件中的负阻效应,描述了负阻击穿机理的物理模型,提出了一种新颖的双栅高压MOS结构,有效地抑制了负阻击穿,从而提高了器件的可靠性.     

一种新型背面接触式H~+-ISFET

简要地介绍了氢离子敏场效应晶体管(H~+-ISFET)的基本结构和工作原理,提出了一种新型背面接触式H~+-ISFET。对该结构在版图、工艺设计中的有关问题,进行了探讨。最后指出:它在pH值的测量中有较好的实用价值。     

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入     

扭摆式微硅隧道加速度传感器

本文介绍了扭摆式隧道加速度传感器的结构、工作原理、简化的力学模型,设计了版图、工艺流程及关键工艺,并制备出样品,最后给出测试电路和结果。     

一种新颖的照明控制电路

根据“双元型”热释电红外传感器的工作原理和结构特点,提出了一种用红外传感器实现的室内自动照明系统的方案。该方案采用了“运动计数”的原理,通过对进出门人数的统计来实现对室内是否有人的判断。经实验证明,该方案可行,具有一定的应用价值     

低压和常压汽相淀积的掺磷多晶硅膜的氧化

研究了低压和常压多晶硅膜的氧化并和单晶硅氧化作了比较·样品或者未掺杂或者利用PoCe_3作源气相预淀积掺磷·对于一种掺杂,使用的氧化条件范围较宽,当表面反应速率控制时的氧化,其所用膜的掺杂剂浓度范围比较宽。低压和常压多晶硅膜氧化速率大致相同,而和同样预淀积条件下掺杂的单晶硅有显著的差别·中等掺杂的多晶硅膜似乎由多晶硅膜表面电活性载流子浓度所控制·开始氧化时载流子浓度特别重要,氧化期间堆积在表面的掺杂剂不受控制的结果。单晶硅和多晶硅样品之间氧化速率的明显差别是与两种材料中掺杂原子扩散系数不同有关,并与多晶硅下面存在氧化层有关。重掺杂样品可以找到氧化速率的上限（upper limit）样品的重掺杂大约对应于为膜中掺杂剂固溶度的载流子浓度·轻掺杂多晶硅氧化速率在（111）和（100）单晶硅之间,低压材料氧化稍微快一点,提出多晶硅膜晶向控制的范围,氧化期间,发现所消耗多晶硅对所生长氧化膜的比率为O.43,接近所用单晶硅的数值。     

高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

高压集成电路技术的趋向

人们对于扩展集成电路电压范围以寻求在电信、显示、汽车、电视和马达控制市场的应用表现出相当大的兴趣和努力。探讨途径是从设计新的工艺结构象各种双极MOS结合到用已有的工艺实现新的器件结构。除需要新的器件和工艺结合外,高压器件例如金属化,钝化和封装个别工艺步骤的可靠性提出新的要求。标准电路的典型工作电压在过去的运用中很少超过50伏,但现在产品研制工作目标超过600伏。