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在半导体工业中,当今的趋势是对芯片制作技术提出更加严格的要求。较高的芯片密度要求更小的特征尺寸:在1990年前,达到0.5微米尺寸该是很平常的事情。此外,现代集成电路要求较浅深度的结构。亚微米金属氧化物半导体技术需要0.1 μm量级的结深度。 相似文献
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陈钰明 《激光与光电子学进展》1987,24(5):44
美国桑迪亚国家实验室里发展出一种紧凑高能带电粒子加速器新概念,它主要依靠激光光电离作用产生极陡的加速器电磁场梯度。该室已经试验了两种不同的电离正面加速器。较大的一个具有30厘米的加速长度。它能把质子加速到500 MeV,把氘离子加速到10 MeV,把氦离子加速到20 MeV。桑迪亚发言人说,这一概念可用于产生能量高达10亿eV的离子。潜在的应用包括军事系统、核物理研究或用以获得惯性压缩聚变所需的重离子。 相似文献
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