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本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中. 相似文献
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利用MOCVD工艺可制备得到锐钛矿型TiO2薄膜,在其上溅射金属Pt并控制工艺流程的温度,Pt/TiO2间将形成良好的金半整流接触。该Pt/TiO2肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性,响应时间短,对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏。 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述 相似文献
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现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展,而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术,A1N陶瓷具有优良的综合性能。研究了A1N流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术,比较了在A1N成瓷基板上的各种金属化工艺。 相似文献
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研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。 相似文献
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在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面.在Si(100)晶片上用离子束溅射淀积Co/Ti双层膜,经退火处理完成三元固相反应,生成TiN/CoSi2/Si膜,然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜.AES,XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si(100)衬底的外延生长膜.STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整,主要由交替出现的平台和台阶结构组成.平台的平均宽度为9nm,台阶高度为2个原子层厚度,分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离(100)面引起的.平台表面呈平行台阶方向的相距约1.1nm的条状结构. 相似文献
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研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高 相似文献
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适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成 总被引:1,自引:0,他引:1
采用SiO为起始原料、Ar为载气,蒸发温度1300℃、压力1~2×104Pa的生长条件下,成功地合成了超长的单晶硅纳米线;以SiO和P205混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂;借助电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)分析了硅纳米线P掺杂效果;利用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射仪(XDR)等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征,测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径,但其长度随着温度的升高而变长,在1180℃的生长区域,硅纳米线的长度达到了150μm;硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除。 相似文献