SnO2／Fe2O3双层薄膜的界面结构及其对气敏特性的影响

本给出用等离子化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO2／Fe2O3双层薄膜结构的俄歇谱(AES)剖面分析、透射电镜(TEM)断面形貌和扫描电镜(SEM)表面形貌的实验研究结果。AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2与Fe2O3界面区有一个约35nm厚的过渡层存在，其质地松散。实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力，增强了SnO2薄膜的附着力，对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用；但当SnO2层厚大于270nm时，其控制作用几乎完全消失。     

水热法制备ZrO_2纳米微晶及对乙醇和丁烷气敏性研究

用水热法制备 Zr O2 纳米微晶的平均尺寸为直径 5 nm,长 7.5 nm。由 X射线衍射确认晶相为单斜相。并对其形状和大小进行了透射电镜和激光散射分析 ,结果表明 Zr O2 纳米粒子在水溶液中存在软团聚 ,团聚体平均尺寸约 90 nm。着重研究了 Zr O2 纳米微晶对乙醇及丁烷的气敏性能 ,结果表明用纳米级 Zr O2 粒子制备的气敏元件对乙醇和丁烷有好的气敏性。并且随着纳米粒子尺寸降低 ,对气体敏感性增强     

氮离子注入法合成CNx膜的化学键表征

采用N离子注入金刚石膜和热解石墨方法合成了CNx膜,用Raman光谱和XPS谱对合成薄膜中C、N的化学键合状态进行了研究.通过与Raman光谱的比较,我们对合成样品XPS谱中N1s的化学键合状态作出如下归属:≈400.0 eV属于sp2 C-N键;≈398.5 eV则属于sp3 C-N键.结果显示:碳原子、氮原子间的化学键合状态,明显地依赖于衬底材料及注入N离子的能量.     

多晶La0.49 Sr0.51 (Mn1-x Nbx )O3的电输运特性研究

测量了B位掺杂的钙钛矿结构锰氧化物La0．49Sr0．51(Mn1-xNb2)O3(x=0,0.05，0．15和0．25)的电阻率和磁化强度的温度特性．实验结果表明，当Nb^5 部分替代B位的Mn^4 离子时，电阻率-温度特性由原来单一的半导体型转变成了高温时的半导体(绝缘体)型和低温时的类金属型．随Nb掺杂量增大，电阻率迅速升高3～5个数量级，半导体(绝缘体)一类金属转变温度降低．在掺杂Nh的样品中，只观察到顺磁-铁磁转变，而未观察到铁磁一反铁磁转变．上述实验结果的一种可能解释是掺杂改变了磁有序时电子自旋的排列和空间取向，从而改变载流子被自旋热涨落的散射作用和载流子转移的随机性．     

吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定

用带特殊热（冷）阱的可控制基片温度的电阻加热式真空蒸镀薄膜装置，把吸收透明导电薄膜Au和In2O3分别通过热蒸镀和活化反应淀积在玻璃基片上,In2O3的电阻为80Ω/□，光学透射率不小于80%，透明导电 薄膜的复光学常数可通过测量其反射和透射系数得到，但考虑到基片背表面的存在，必须对反射和透射系数进行修正，引入修正后所得到的复光学常数与椭偏测量的结果一致。     

氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响

采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降.O2/(Ar+O2)比对薄膜结晶状态有明显影响,O2/(Ar+O2)比约为0.45,薄膜结晶质量较好.     

多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3的磁电阻研究

采用四探针法测量多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0.05,0.15和0.25)在磁场下的电阻率温度曲线.实验结果显示:①在0.45T磁场下,对于x=0和x=0.25的样品,几乎观察不到磁电阻(Magnetoresistance,MR)效应,而对于x=0.05和x=0.15的样品,磁电阻效应较明显.这种差异可能与样品中铁磁相是否占主导作用有关;②比较x=0.05和x=0.15这两种样品的MR机制,前者可能与载流子在弱连接晶界上的自旋相关散射有关,且其主要是非本征的;而后者主要是本征的.     

微乳液法制备ZrO_2超细粉及其表征

以可溶性锆盐溶液为水相 ,环已烷为油相 ,聚乙二醇辛基苯醚为乳化剂 ,正戊醇为助乳化剂的微乳液为基础 ,以氨气作沉淀剂 ,在微乳液中发生化学反应 ,产生凝胶状沉淀 ,凝胶经离心洗涤、焙烧 ,得到超细单分散ZrO2 粒子 ,此方法结合了微乳液法和凝胶法的优点 .用激光光散射仪测量粒子的形态和大小 ,X射线衍射仪对样品作物相分析 ,并研究ZrO2 纳米粉对乙醇的敏感性 .结果表明 ,本法所制备的ZrO2 超细颗粒粉末尺寸可控制在 <2 0nm的范围内 ,团聚体 <1 0 0nm ,物相为单斜相 ,且有分布均匀、敏感性强等特点 ,是获得优质超细粒子的新方法