砷化镓场效应晶体管半绝缘单晶衬底的制备

用水平三温区炉生长掺铬、氧、碲的砷化镓,在纯氢气流中,经780℃和800℃热处理一小时,制得了保持热稳定的半绝缘砷化镓单晶。在未掺氧的晶体中,达到半绝缘砷化镓的最低铬浓度是3.60×10~(15)厘米~(-3)。热稳定材料中的铬浓度在3.6×10~(16)厘米~(-3)以上,硅含量低于分析灵敏度(0.2ppm)。材料的热稳定性用方块电阻(欧姆/□)和漏电流进行检验。     

Φ50毫米〈1O0〉不掺杂高纯半绝缘砷化镓单晶

我们采用高压液封原位合成直拉法(简称 HPDSLEC 法),在热解氮化硼坩埚或石英坩埚里生长不掺杂〈100〉砷化镓单晶。单晶直径φ30～50毫米,重量750克,成晶率80%。我们对不同熔体组分(指熔体中砷原子分数)生长的单晶用火花源质谱法,局域振动模远红外光吸收法,热激电流谱法,     

“不做假账”谈企业内部控制管理的建立

人无信不立，国无信则危。信用是市场经济的基础，社会主义市场经济发展需要诚信交易与合作。江泽民指出“没有信用，就没有秩序，市场经济就不能发展”。第十六届世界会计师大会上原朱总理要求“所有的会计人员必须做到‘诚信为本，操守为重，坚持原则，不做假账’恪守独立、客观、公正的原则，不屈从和迎合任何压力与不合理要求，不以职     

激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。     

GaAs:Cr中的Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振研究

本文报道GaAs∶Cr中Cr~(4+)(3d~2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr~(4+)的EPR信号,但对Cr~(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr~(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象.     

掺Cr-Te半绝缘(SI)GaAs 的某种特性

一引言离子注入工艺具有成本低,制作的器件参数重复性好,均匀性好等优点,已被应用于器件制作工艺中,并成为制备高频高速集成电路的基础。国外,GaAs FET生产中     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．