（AlxGa1—x）0.51In0.49光致发光谱的温度依赖关系

研究了ＭＯＶＰＥ生长的与ＧａＡｓ晶格匹配的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金的ＰＬ谱的温度依赖关系,在变温约为１７～２３０Ｋ范围内,谱线半宽多２４ｍｅＶ变到４０～６０ｍｅＶ,强度减小了大约两个数量级。对ＰＬ谱积分强度随温度变化的拟合表明,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于９０Ｋ,活活能为４～５ｍｅＶ,温度大于９０Ｋ,激活能为２５～５５ｍｅＶ。认为低温区行为由     

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.     

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P光致发光谱的温度依赖关系

研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围内 ,谱线半宽从 2 4meV变到 4 0～ 6 0meV ,强度减小了大约两个数量级。对PL谱积分强度随温度变化的拟合表明 ,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于 90K ,激活能为 4～ 5meV ,温度大于 90K ,激活能为 2 5～ 55meV。认为低温区行为由带边起伏引起的载流子热离化伴随的无辐射跃迁所控制 ,而高温区取决于子晶格的有序度。     

重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合

通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.     

弘扬工匠精神 助力人才成长--第四届中国皮革工匠助长基金颁奖典礼圆满举办

2021年12月4日,由徐州鸿丰高分子材料有限公司和四川大学轻工科学与工程学院共同发起、中国皮革协会支持、徐州鸿丰高分子材料有限公司赞助而设立的第四届中国皮革工匠助长基金线上颁奖典礼圆满举办。颁奖典礼由中国皮革工匠基金委员会秘书处高玉琳主持。     

三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的时间分辨发光谱

在室温和低温液氮下 ,研究了有序和无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的时间分辨发光谱。对实验结果的拟合表明 ,有序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光呈双指数规律衰退。其中快过程对应着有序区域上载流子的复合 ,慢过程则对应着有序区域和无序区域的空间分离中心上载流子的复合。无序 Ga0 .52 In0 .4 8P的发光在室温下呈单指数规律衰退。同时从低温下的时间分辨发光谱还可以看出有序样品的发光峰随着延迟时间的变长而蓝移 ,说明低温下在有序 Ga0 .52In0 .4 8P中存在着载流子从无序区域到有序区域的转移     

45钢推杆淬火开裂的分析及热处理工艺改进

塑料模架上的推杆,材质为45钢,形状简单,如图所示。淬火、回火后要求硬度HRC45～50,变形量<0.30mm。按常规工艺淬火,840±10℃加热,保温12min,在NaCl 10％水溶液中冷却,硬度为HRC55～58。220根推杆,开裂达140根,裂纹1～2条,校直时走向一般平行于轴向发展,见图。没     

结构函数在大功率LED热阻测试中的应用

利用从瞬态热响应曲线中解析出的包含热阻、热容的结构函数,对大功率发光二极管(LED)传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明,用该方法不仅能得到器件结到环境的总热阻,更为重要的是还可从结构函数曲线图上直观地对器件各结构层的热阻进行分析,且测量重复性好,从而为评价器件的封装质量、散热性能提供直接、可靠的依据.