苯并噁嗪/氧化石墨烯导热复合材料的制备与性能研究

以双酚A、3氨丙基三乙氧基硅烷和多聚甲醛为原料,通过曼尼希反应合成了氨基硅氧烷功能化苯并嗪（B-TES）;将B-TES引入双酚A苯胺型苯并嗪（BA-a）与氧化石墨烯（GO）组成的复合体系中,通过傅里叶变换红外光谱仪、差示扫描量热仪和旋转流变仪研究了复合体系的热固化过程;激光导热仪测试BA-a/GO/B-TES复合材料的热导率。结果表明,当GO/B-TES添加量从1 %（质量分数,下同）增大到6 %时,复合材料的热导率从0.29 W/（m·K）增大到0.56 W/（m·K）;采用有效介质模型计算GO与聚合物之间的界面热阻（Rb）,发现B-TES能够使Rb由150×10-9 m2·K/W降低至130×10-9 m2·K/W;BA-a/GO/B-TES复合材料还表现出低表面能、高热稳定性的特性。     

4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究

为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC（0001）外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET（LDMOSFET）,其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N₂气氛中退火,测试了其输出和转移曲线,提取了有效迁移率和场效应迁移率,利用亚阈值摆幅法提取了界面态密度,并探讨了漏源电压、晶圆位置、温度对迁移率和界面态密度的影响。结果显示,LDMOSFET的沟道尺寸对沟道迁移率和界面态密度有显著的影响,增加NO的退火温度和时间可以提高沟道迁移率,1 250℃40 min NO退火和1 200℃70 min NO退火的LDMOSFET的常温峰值迁移率均约为45 cm²·V^-1·s^-1,沟道迁移率随测试温度的增加而增加,且高栅压下栅压比测试温度对迁移率的影响更大。     

氮退火对SiC MOSFET栅源电压漂移的影响

为了准确地表征4H-SiC MOSFET经过高温栅偏(HTGB)测试后的栅源电压漂移,优化氮退火工艺条件以改善MOSFET栅源电压的稳定性,在n型4H-SiC (0001)外延片上制备了横向扩散MOSFET (LDMOSFET)和纵向扩散MOSFET (VDMOSFET).对栅氧化层采用不同温度、时间和气氛进行氮退火,并对制备的MOSFET进行了HTGB测试,探讨了栅压应力大小、应力时间、温度对栅源电压漂移的影响.结果 表明:相比LDMOSFET,VDMOSFET可以更有效地表征栅源电压漂移趋势;氮退火对栅源电压正向漂移影响较小;NO退火后增加高温N2退火、提高NO退火的温度和增加NO退火的时间均会引起VDMOSFET栅源电压负向漂移量增加;当栅压应力为-16 V、应力时间为500 s时,1200℃、70 min NO退火的VDMOSFET的栅源电压漂移比1250℃、40 min NO退火的小0.1～0.3 V.     

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.     

新经济产业基地建设支持地方发展——以宁夏回族自治区中卫市为例

黄河流域是我国重要的经济地带,沿线可供开发资源类型丰富,具有发展新兴产业的潜力和优势.2020年8月31日,中共中央政治局审议了《黄河流域生态保护和高质量发展规划纲要》,会议再次强调各地要采取有效举措推动黄河流域高质量发展,加快新旧动能转换,建设特色优势现代产业体系,优化城市发展格局.在可持续发展理念不断深入、全球科技创新及产业变革加速的背景下,推进全流域产业升级,构建可持续发展产业体系,助推黄河流域高质量发展,是对黄河战略的积极融入,也是对我国落实2030可持续发展议程的有效响应.     

荒漠化农牧民人居环境提升 ——以鄂尔多斯市伊金霍洛旗为例

一、荒漠化与可持续发展 (一)情况概述 防治荒漠化、干旱和土地退化是全球亟待解决的重要生态环境议题和发展瓶颈之一.目前全球约有40％的陆地面积为干旱地区,13.7％的土地为耕地,但是,52％的农业用地都受到了土壤退化的中度或者严重影响,直接影响26亿依靠农业维持生计的人口.据预测,至2050年,世界人口将增长到90亿以上,持续的人口增长将需要更多的农业生产来满足对粮食的需求,同时也要满足维持全球经济对纤维、生物燃料和化学品的需求,然而用于耕地的面积最大可能扩大到陆地面积的16.3％.荒漠化和干旱严重影响粮食生产、生物多样性保护、生态安全和社会经济稳定,对全球可持续发展构成严重挑战.     

基于深度学习的完全填充型熔融沉积成型零件质量预测方法

抗拉强度、翘曲度和表面粗糙度是衡量熔融沉积成型(FDM)零件质量的重要指标，对其准确、稳定的预测有助于FDM工艺的发展。为此，提出一种基于优化深度信念网络的完全填充型FDM零件质量预测方法。首先根据FDM的生产工艺选取影响零件质量指标的主要变量，利用相关性分析方法确定对产品质量影响最大的工艺参数组合，以获取预测模型的输入变量；其次以10—折交叉验证的验证误差作为适应度值，基于网格搜索确定稀疏约束深度信念网络(SDBN)的最佳超参数组合，采用自适应布谷鸟搜索(ACS)算法对SDBN进行优化，构建完全填充型FDM零件质量预测模型；最后，将所提的ACS-SDBN与ACS-DBN、深度信念网络(DBN)和BP的预测结果进行对比，结果表明基于ACS-SDBN模型的完全填充型FDM零件质量预测方法具有更好的预测精度和稳定性。     

界面陷阱分布对SiC MOSFET准静态C-V特性的影响

为了分析4H-SiC/SiO₂固定电荷和界面陷阱对MOSFET准静态电容-电压(C-V)特性曲线的影响机制，对不同栅氧氮退火条件下的n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)进行了氧化层中可动离子、界面陷阱分布和准静态C-V特性曲线的测试，并结合仿真探讨了测试频率、固定电荷、4H-SiC/SiO₂界面陷阱分布对准静态C-V特性曲线的影响。实验和仿真结果表明：电子和空穴界面陷阱分别影响准静态C-V曲线的右半部分和左半部分；界面陷阱的E₀、E_s、N₀(E₀为陷阱能级中心与导带底能级或价带顶能级之差，E_s为陷阱能级分布的宽度，N₀为陷阱能级分布的密度峰值)对准静态C-V曲线的影响是综合的；当E₀为0 eV,E_s为0.2 eV,电子和空穴捕获截面均为1×10^-18 cm²,电子和空穴界面陷阱的N₀分...