排序方式: 共有21条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
常规双极晶体管在77K下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Gummel数,基区方块电阻,渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系,然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。 相似文献
2.
硅微电子兼容技术是微电子技术与其它相关技术相互结合的产物,是微电子学科领域的重要发展方向之一,并使其在性能和应用领域等方面得到进一步的提高和扩展.本文主要介绍GaAs/Si、SiGe/Si、LB/Si、低温微电子、真空微电子和超导/半导兼容技术的新进展和发展趋. 相似文献
3.
4.
5.
不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较 总被引:2,自引:0,他引:2
在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。 相似文献
6.
7.
新型锗硅材料和器件的发展开创了硅异质结构和能带工程器件的新时代.现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能.本文详细评述了新型锗硅应变层异质结构双极器件的研究现状及发展,着重讨论了锗硅应变层的性质和以锗硅应变层作基区的异质结双极器件的性能及其应用前景. 相似文献
8.
9.
10.