电子束曝光机制作分离掩模版的套准精度

一、前言电子束曝光机制作的高精度分离掩模版,精度高。要检查一套版之间的相对套准精度,往往比较困难。若用掩模版比较仪测量,只能测量相对精度,且精度较低,要测到±0.5μm的相对误差,已属不易。采用光刻工艺来检验掩模版的相对套准精度,尽管和器件生产工艺相容好,但测试周期长;而且由于光刻、腐蚀等工艺过程要带来相当可观的精度损失。因此作为一种工艺考核是可以的,而作为掩模版的套准精度就不合适了。