采用离子注入N~+层和质子隔离的12GHz 200mW功率GaAs MESFET

本文报导了采用质子隔离和Si~+离子注入N~+接触层技术,提高了功率GaAa MESFET的微波性能和可靠性.已经制成栅长1μm,总栅宽600μm的GaAs功率MESFET,12GHz下最大输出功率210mW,经严格考核表明器件具有较高的可靠性.     

X波段0.7W单片集成功率放大器

<正>南京电子器件研究所在微波单片集成电路研制方面获得了新的进展。1991年研制成的两级功率放大器测试结果表明,最大增益11 dB,1 dB带宽600MHz,7GHz频率下P_(-1)>550mW,Pa_(sat)为770mW,与设计值基本吻合。     

GaAs MESFET电子辐照效应的研究

本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变化主要是由于载流子去除效应.对器件载流子去除率进行了计算,其值在8-30cm~(-1)范围内.迁移率退化因子是比较小的,在室温大约为10~(-17)cm~2量级.     

C-X波段中功率GaAs MESFET

本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW.     

X波段GaAs单片中功率放大器

本文叙述了GaAs单片功率放大器的设计方法,给出了初步的实验结果.采用集总元件、制作在1×1.2mm芯片上的单级放大器,在1dB带宽340(8100～8440)MHz的频率内,最大小信号增益为6.5dB,5.2dB下的输出功率为100mW.