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Review: Effect of thermal processing on soymilk 总被引:3,自引:0,他引:3
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金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质.利用X射线光电子能谱(XPS)的表面分析方法,发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子(O-和O-2)提高真空退火温度,吸附氧粒子的数量增加;同时吸附氧粒子的负电性变弱.当退火温度低于350℃时,吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2→Sn2O3的转变;在这种情况下,可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物,继续提高退火温度,达到400℃时,Sn在金属Sn中的相对含量急剧增大,Sn在金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+→Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积.与温度低于350℃时的退火条件相比,XPS的测量也发现,在400℃的退火温度下;SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物.还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系. 相似文献
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以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 相似文献
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中国国际贸易中心三期主塔楼结构设计 总被引:1,自引:0,他引:1
位于中国北京的中国国际贸易中心三期主塔楼高330米,包括一座五星级酒店和甲级写字楼。建筑物的高度和北京的高抗震烈度设计对于结构设计师都是一个挑战,特别是考虑到中国规范中各项严格的要求。在结构设计过程中,各种结构类型及不同材料的使用都经过讨论研究。最终的结构体系是一个组合支撑框架核心筒和组合周边刚性框架筒,在机电层再辅以伸臂桁架连接两个筒。由于塔楼外立面宽度逐渐收小,结构上采用了三层腰桁架,而在腰桁架之间柱子的数量逐渐减少。塔楼的底部是八层高带转换桁架的V型柱,以符合建筑上对五星级酒店和甲级写字楼首层宏大的主入口的要求,同时又可平缓地过渡到上部的抗弯刚架。结构体系中根据不同的部位相对采用了各种类型的组合构件来满足刚度、延性、冗余度并达到最好的性能价格比。组合钢板墙(C-SPW)可能是首次在中国的结构中应用,以增加剪力墙的抗剪承载力和刚度,并改善延性。结构设计中运用了精确的有限元分析及先进的非线性弹塑性时程分析来评估结构的性能及确保建筑物在不同地震水准下的安全性。 相似文献
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为了实现车载摄像头的超广角成像,解决倒车影像系统不能全面照顾周围视角的问题,设计了一款超广角车载摄像头。对该摄像头所采用的图像传感器、超广角成像技术、硬件电路设计及接口EMC防护的应用进行研究。根据当前车厂对摄像头的要求选择了基于美国Omnivision公司的CMOS图像传感器OV7962作为成像芯片。采用一种新的凝视型视场全景成像技术——鱼眼透镜成像,并通过匹配成像芯片的参数计算出镜头的焦距和分辨率。对摄像头硬件电路的设计及接口电磁兼容性(EMC)防护进行测试和改进。实验结果表明:摄像头可实现210°超广角成像,接口EMC防护已通过ISO-7637-2脉冲5b标准测试。满足了对倒车影像系统全面顾及周围视角的要求,另外该车载全景摄像头还具有成本低、性能稳定、分辨率高、夜视效果好等优势。 相似文献