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1.
可并联逆变器中的同步控制技术及其实现 总被引:5,自引:2,他引:3
论述了可并联逆变器中的同步控制技术及其实现方法。在分析了同步的重要性之后,提出了抢占与并发相结合的同步控制策略及其实现方法,实践证明该方法具有很高的控制精度。 相似文献
2.
3.
4.
含氚废水水泥固化实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究用水泥固化处理氚废水,并选择了最佳配方:水与灰的重量比=0.45~0.5,水泥与石膏重量比=5∶1。用IAEA推荐的方法做浸出实验。为了减少水泥固化体中氚的浸出量,实验了几种涂层材料。沥青涂层可将固化体氚的浸出率降低1~2个量级。 相似文献
5.
Interfacial polycondensation of diphenolic acid (DPA) and isophthaloyl chloride (IPC) in various solvent/water systems was investigated with tetrabutyl ammonium chloride as a phase transfer catalyst. It was found that a large mass of capsules were formed at the beginning of the reaction for all solvents examined but the capsule morphology and reaction results depended on the solvents. It is believed that the capsule shells make up of the reaction zone and a mechanism of the interfacial polycondensation is proposed accordingly. The effect of the solvents on the reaction was interpreted from the interaction between the polymer and the solvent according to the mechanism. The reaction conditions were optimized, and poly(DPA-IPC) with high intrinsic viscosity was prepared in high yield under the optimal condition. It is an amorphous polymer with glass transition temperature of about 160°C. © 2008 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci, 2008 相似文献
6.
7.
为利用TSP各物探指标预测隧道围岩质量,以G575线巴里坤~哈密公路东天山隧道为工程依托,利用灰色关联分析理论,建立了以岩体质量指标修正值作为围岩质量的依据,以9个物探指标为影响因素,采用MATLAB软件对隧道围岩质量的影响因素进行关联排序,确定影响围岩质量的主次因素;再选取高关联度的物探指标,采用灰色关联理论进行围岩质量预测。结果表明,波速、纵横波速比、泊松比、密度为影响隧道围岩稳定性的主控因素;剪切模量、拉梅系数、体积模量、动态杨氏模量、静态杨氏模量为次要因素;围岩质量预测采用波速、纵横波速比、泊松比、密度这4个高关联度的物探指标能准确预测隧道围岩分类。 相似文献
8.
详细介绍了信息栅格的基本概念、功能模型和体系结构,以信息栅格网络所要解决的安全问题为切入点,从信息栅格安全需求、安全模型、安全关键技术等方面阐述了信息栅格网络的主要安全技术及其发展情况。最后指出信息栅格网络安全技术面临的一些问题和未来研究方向。 相似文献
9.
以QuartusⅡ为开发平台,采用Verilog HDL语言编程在ModelSim中对基于FPGA设计的无刷直流电机模糊PID控制器进行了仿真验证,通过M atlab拟合M odelSim得到了数据. 相似文献
10.
为研究特高压换流站气体绝缘金属封闭输电线路的抗震性能,以某特高压换流站550 kV交流滤波器的进线气体绝缘金属封闭输电线路(GIL)为研究对象,考虑不同类型支架对GIL外壳的约束作用、GIL内部三支柱绝缘子与GIL外壳不同类型连接以及GIL内部导体接头处的滑移等,建立由内导体、三支柱绝缘子、外壳以及支架组成的GIL精细化有限元模型,在三向地震动输入情况下进行时程响应分析,研究GIL-支架体系的地震响应特征及抗震薄弱位置.结果 表明:不同高度处活动支架沿管道轴向的平均加速度放大系数均超过2;八度罕遇地震作用下,GIL内部导体接头处位移超出48 mm限值且外壳平均应力峰值响应超出容许应力值;在九度罕遇地震作用下,GIL内导体平均应力响应超出容许应力值.GIL的抗震薄弱位置为竖向转角处的内导体接头及外壳.在设计时,应重点关注活动支架的动力放大作用,控制GIL内导体接头的位移和外壳的应力响应. 相似文献