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1.
以蚕丝蛋白为模板,在相对温和的条件下通过生物矿化的手段形成具有特殊形貌的α-GaOOH颗粒,并通过在不同温度下煅烧α-GaOOH得到α-Ga2O3和β-Ga2O3.采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和荧光分光光度计(PL)等手段研究了丝素蛋白多肽和矿化时间对颗粒的影响,对其生物矿化机理进行了初步探讨.结果表明,所制备的β-Ga2O3具有优良的发光特性,丝素蛋白多肽模板以无定形的结构与产物结合在一起,并且经过高温烧结后仍以碳膜的形式包覆在材料的表面.这种碳膜结构对于提高材料的生物学性能起着重要的作用. 相似文献
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无源光网络(Passive Optical Network,PON)作为当今接入网的主要技术解决方案,具有带宽使用效率高、传输距离远、抗干扰能力强等特点.通过研究PON技术的发展动态,本文首先归纳了各种PON技术的产生背景和应用特点,整理出各技术间的连接关系及主要标准;其次介绍了PON技术的帧结构,并对带宽、波长、传输模式等PON技术的主要参数进行了汇总;然后将国内外研究热点进行划分,围绕媒体访问控制协议、帧结构、动态带宽分配算法、节能机制等关键技术,阐述了其研究现状及在PON中的重要作用;最后对PON技术的发展趋势进行了展望. 相似文献
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Hechun Cao Hui Zheng Lining Fan Zifeng Cheng Jianwei Zhou Qiong Wu Peng Zheng Liang Zheng Yang Zhang 《International Journal of Applied Ceramic Technology》2020,17(2):813-822
In this study, yttrium iron garnet co-doped with Zn and Zr atoms with a chemical formula Y3ZnxZrxFe(5−2x)O12 (x = 0.0-0.3) has been successfully prepared by the solid-state reaction method. The effects of doping concentration on the microstructure, crystal structure, magnetic properties, and dielectric properties of Y3ZnxZrxFe(5−2x)O12 were investigated. The microstructure analysis indicates that co-doping of YIG with Zn and Zr can effectively reduce the grain size of the ceramic. The crystal structure results reveal that the doping concentration of Zn–Zr has substantial influence on the lattice parameters of YIG, such as, increases the lattice constant, crystal cell size, and interplanar spacing. However, the second phase of ZrO2 appears once x ≥ 0.15. Additionally, the dielectric properties of YIG ferrite can be regulated using this Zn–Zr co-doping method. Zn–Zr co-doping can improve the dielectric stability and reduce the dielectric loss at high temperature. The magnetization measurement shows that the saturation magnetization is stabilized at x < 0.15, and the magnetic loss is decreased with the increase in the doping concentration. Overall, the findings show that the ceramic with x = 0.1 exhibits better properties included high saturation magnetization (24.607 emu/g), low magnetic loss (0.0025 @ 1 MHz), and relatively low dielectric loss (496 @ 400°C). 相似文献
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